时间：2025/7/9 11:44:41
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QMK325B7104MNHT 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，主要用于开关和放大应用。该器件采用 TO-263 封装形式，具备低导通电阻和高效率的特点，适用于多种电源管理场景。
这款功率 MOSFET 通常被用作高效能电子设备中的关键组件，如 DC-DC 转换器、电机驱动器以及负载开关等电路中。
最大漏源电压：70V
连续漏极电流：8A
导通电阻：30mΩ
栅极电荷：16nC
总功耗：5W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
QMK325B7104MNHT 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗并提升系统效率。
2. 快速开关速度，有助于减少开关损耗，从而提高高频操作性能。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 紧凑型表面贴装封装设计（TO-263），便于自动化生产和节省 PCB 空间。
5. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的应用需求。
该芯片适合应用于广泛的领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电池保护和管理系统中的负载开关。
3. 各类电机驱动器，例如步进电机和直流无刷电机。
4. 汽车电子系统，如电动座椅调节、雨刷控制等。
5. 工业控制和家用电器中的功率转换模块。
IRFZ44N
STP80NF06
FDP150AN
AO3400
