时间：2025/4/3 11:14:04
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QMK316BJ333ML-T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频开关应用而设计。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管（e-mode HEMT）结构，能够显著提高系统效率并减少体积和重量。其封装形式为紧凑型表面贴装器件，适合用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器等应用场景。
由于 GaN 技术的固有优势，QMK316BJ333ML-T 在高频和高压环境下表现出优异的性能，同时支持快速开关速度和低导通电阻特性。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：33A
导通电阻：33mΩ
栅极阈值电压：1.8V~4.0V
输入电容：1200pF
反向传输电容：25pF
开关频率：最高可达 5MHz
工作温度范围：-40℃~+150℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流条件下仍能保持高效运行。
2. 支持高频操作，能够实现更小尺寸的磁性元件和电容器设计。
3. 具备更高的功率密度和热效率，适应高温环境下的稳定运行。
4. 内置 ESD 保护电路，增强了芯片的可靠性。
5. 超快的开关速度减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅封装工艺。
7. 表面贴装封装，便于自动化生产和批量制造。
1. 高效 DC-DC 转换器。
2. 服务器和通信设备中的电源模块。
3. 太阳能逆变器及储能系统。
4. 电动车车载充电器（OBC）与 DC-DC 转换器。
5. 快速充电适配器和 USB-PD 控制器。
6. 工业电机驱动与高频开关电源。
7. 高频谐振拓扑结构如 LLC 和 CLLC 变换器。
QMK316AJ333ML-T, QMK316CJ333ML-T
