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QMK316BJ333ML-T 发布时间 时间:2025/4/3 11:14:04 查看 阅读:5

QMK316BJ333ML-T 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效率功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用增强型 GaN 场效应晶体管(e-mode HEMT)结构,能够显著提高系统效率并减少体积和重量。其封装形式为紧凑型表面贴装器件,适合用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器等应用场景。
  由于 GaN 技术的固有优势,QMK316BJ333ML-T 在高频和高压环境下表现出优异的性能,同时支持快速开关速度和低导通电阻特性。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:33A
  导通电阻:33mΩ
  栅极阈值电压:1.8V~4.0V
  输入电容:1200pF
  反向传输电容:25pF
  开关频率:最高可达 5MHz
  工作温度范围:-40℃~+150℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在高电流条件下仍能保持高效运行。
  2. 支持高频操作,能够实现更小尺寸的磁性元件和电容器设计。
  3. 具备更高的功率密度和热效率,适应高温环境下的稳定运行。
  4. 内置 ESD 保护电路,增强了芯片的可靠性。
  5. 超快的开关速度减少了开关损耗,从而提高了整体系统效率。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅封装工艺。
  7. 表面贴装封装,便于自动化生产和批量制造。

应用

1. 高效 DC-DC 转换器。
  2. 服务器和通信设备中的电源模块。
  3. 太阳能逆变器及储能系统。
  4. 电动车车载充电器(OBC)与 DC-DC 转换器。
  5. 快速充电适配器和 USB-PD 控制器。
  6. 工业电机驱动与高频开关电源。
  7. 高频谐振拓扑结构如 LLC 和 CLLC 变换器。

替代型号

QMK316AJ333ML-T, QMK316CJ333ML-T

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QMK316BJ333ML-T参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,000 : ¥0.66771卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容0.033 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数X5R
  • 工作温度-55°C ~ 85°C
  • 特性高电压
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.071"(1.80mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-