时间：2025/7/4 3:24:39
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QMK212SD561KD-T 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和放大应用。该器件采用了先进的制造工艺，确保了高效率、低导通电阻和快速开关速度，适合各种工业和消费电子领域的需求。
该型号属于功率 MOSFET 类别，广泛应用于电源管理、电机驱动以及负载切换等场景。
类型：N沟道 MOSFET
电压（Vds）：60V
电流（Id）：180A
导通电阻（Rds(on)）：1.2mΩ
栅极电荷（Qg）：65nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
QMK212SD561KD-T 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效降低了传导损耗，提升了整体效率。
2. 快速的开关性能，能够适应高频应用场景。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
4. 热稳定性强，在高温环境下依然保持可靠的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 封装牢固，散热性能优越，适用于大功率系统设计。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 工业电机控制和变频驱动电路。
3. 太阳能逆变器及储能设备中的功率管理模块。
4. 汽车电子系统，如电动助力转向 (EPS) 和刹车控制系统。
5. 各类负载切换和保护电路。
6. 高效 LED 驱动器和照明解决方案。
IRFB4110,
STP170N06,
FDP170N06,
IXFN180N06T2
