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QMK212SD331KD-T 发布时间 时间:2025/7/9 17:25:10 查看 阅读:12

QMK212SD331KD-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,属于N沟道增强型MOSFET系列。该器件采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理及功率转换应用场合。
  该器件通常用于需要高效能、低功耗的电路设计中,能够显著提高系统的整体性能。

参数

型号:QMK212SD331KD-T
  类型:N沟道增强型MOSFET
  漏源电压(Vds):60V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):50A
  导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ(典型值,在Vgs=10V条件下)
  总功耗(Ptot):140W
  结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

QMK212SD331KD-T 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高系统效率。
  2. 高开关速度,适合高频开关应用。
  3. 强大的散热性能,支持长时间稳定运行。
  4. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  6. 提供出色的电气特性和机械稳定性,确保长期使用中的可靠性。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率管理模块。
  4. 新能源系统,如太阳能逆变器和风力发电控制器。
  5. 汽车电子中的负载切换和保护电路。
  6. 高效节能的家用电器和消费电子产品。

替代型号

QMK212SD331KD-S, IRF3205, FDP5500

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QMK212SD331KD-T参数

  • 现有数量3,657现货
  • 价格1 : ¥2.15000剪切带(CT)4,000 : ¥0.44859卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容330 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数-
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-