您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > QMK212SD121KD-T

QMK212SD121KD-T 发布时间 时间:2025/7/1 20:46:41 查看 阅读:8

QMK212SD121KD-T 是一款高性能的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于电源管理、电机驱动和开关电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,非常适合用于需要高效能和高可靠性的应用场合。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,能够承受较高的电压和电流,同时具备优秀的抗干扰能力和稳定性。其封装形式通常为 TO-263 或 D2PAK,便于散热和安装,广泛适用于工业、消费电子和汽车领域。

参数

最大漏源电压:100V
  最大连续漏极电流:35A
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:4.5mΩ
  功耗:15W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263

特性

QMK212SD121KD-T 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。
  2. 高开关速度,能够支持高频操作,降低电磁干扰。
  3. 良好的热稳定性,确保在极端温度条件下仍能保持性能。
  4. 强大的短路保护能力,增强了系统的可靠性。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子设计需求。
  6. 封装形式设计优化,提供良好的散热性能,延长使用寿命。

应用

QMK212SD121KD-T 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和 DC-DC 转换器。
  2. 电机驱动和控制电路。
  3. 工业自动化设备中的功率调节模块。
  4. 汽车电子系统,例如电动助力转向和制动控制。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源设备。
  6. 消费类电子产品中的负载切换和电池管理单元。

替代型号

IRFZ44N, FQP30N06L, AO3400

QMK212SD121KD-T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

QMK212SD121KD-T参数

  • 现有数量7,980现货
  • 价格1 : ¥2.15000剪切带(CT)4,000 : ¥0.44859卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容120 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定250V
  • 温度系数-
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用SMPS 过滤器
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.037"(0.95mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-