QM81003MTR13 是一款由 安森美半导体(onsemi)推出的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管,适用于高频放大、开关电路以及功率放大应用。这款晶体管采用了先进的制造工艺,具有良好的稳定性和高可靠性。QM81003MTR13 通常封装在 SOT-223 表面贴装封装中,适合高密度电路设计和自动化装配。这款器件广泛应用于通信设备、电源管理、音频放大器和其他高性能电子系统中。
类型:NPN型晶体管
最大集电极-发射极电压(Vceo):80V
最大集电极电流(Ic):1.5A
最大功耗(Ptot):1.5W
电流增益(hFE):50-800(根据档位不同)
过渡频率(fT):100MHz
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-223
QM81003MTR13 拥有出色的电气性能和热稳定性,适用于各种高频和功率放大场景。
首先,该晶体管的最大集电极-发射极电压为80V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压电路设计。其最大集电极电流为1.5A,允许在较高电流下工作,适合功率放大器和开关电路。
其次,该器件的电流增益(hFE)范围广泛,通常在50到800之间,具体取决于分档(如hFE分档为O档、Y档等),为设计者提供了灵活的选择,以满足不同应用场景的放大需求。
此外,过渡频率(fT)达到100MHz,表明该晶体管在高频应用中具有良好的响应能力,适合用于射频放大器、振荡器和高速开关电路。
封装方面,采用SOT-223封装,具备良好的散热性能,同时支持表面贴装技术,适用于自动化生产流程,提高了组装效率和可靠性。
最后,该晶体管具有宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),能够在恶劣的环境条件下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。
QM81003MTR13 广泛应用于多个电子领域,尤其适合需要高频性能和中等功率处理能力的电路设计。
在通信设备中,该晶体管可用于射频(RF)信号放大和调制电路,其100MHz的过渡频率使其适用于低频至超高频段的信号处理。
在电源管理电路中,该器件可以作为开关管使用,用于DC-DC转换器、负载开关或电机驱动电路,其1.5A的集电极电流能力可以支持中等功率的负载控制。
在音频放大器设计中,由于其较高的电流增益和良好的线性度,QM81003MTR13 可用于前置放大或功率输出级,提升音频信号的放大质量。
此外,该晶体管还常用于工业控制、汽车电子系统、消费类电子产品中的驱动电路和传感器信号调理电路,具备广泛的应用场景和良好的兼容性。
其SOT-223封装形式也使其适用于高密度PCB布局,满足现代电子产品对小型化和高效能的双重需求。
PN2222A, BCX70, MMBT3904, 2N3904, 2N2222