型号：QM75DY-24
　　制造商：Qorvo
　　技术工艺：GaN on SiC
　　工作频率范围：DC ~ 6 GHz
　　输出功率（Psat）：75 W
　　增益：32 dB（典型值）
　　功率附加效率（PAE）：>40%（典型值）
　　输入驻波比（VSWR）：≤2.5:1
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　漏极电压（Vd）：28 V
　　栅极电压（Vg）：可调（典型-2.5 V至-3.5 V）
　　封装类型：陶瓷金属封装
　　热阻（Rth）：≤1.2 °C/W

QM75DY-24的核心优势在于其基于GaN（氮化镓）半导体技术的先进材料体系，这种材料相较于传统的LDMOS技术具有更高的电子迁移率、更高的击穿电场强度以及更优的热导性能。这使得QM75DY-24在高频、高功率应用场景中表现出卓越的效率和带宽能力。其宽频响应能力覆盖从直流到6 GHz的整个频段，意味着它可以灵活地支持多种通信标准而无需更换硬件平台，极大增强了系统的通用性和可扩展性。在实际部署中，尤其是在5G大规模MIMO和多频段融合基站中，这种宽带特性可以减少所需库存的器件种类，降低供应链管理成本。
　　该器件的高增益特性（典型32 dB）显著减少了前级驱动放大器的设计压力，允许使用更低功率的激励源即可达到目标输出，从而优化了整个发射链路的功耗分布。同时，其出色的增益平坦度（±0.5 dB以内）保证了不同频率成分在放大过程中不会产生明显的幅度失配，这对于OFDM类多载波调制信号尤为重要，有助于维持EVM（误差矢量幅度）指标在可接受范围内。此外，QM75DY-24具备良好的群延迟一致性，避免了因相位非线性导致的信号畸变，进一步提升了系统的线性度表现。
　　作为一款专为数字预失真（DPD）系统优化的功率放大器，QM75DY-24在AM/AM和AM/PM转换特性上展现出高度可预测的行为，便于DPD算法建模和实时校正。即使在接近压缩区的工作状态下，其非线性行为依然具备良好的重复性和稳定性，这对提高基站能效、延长设备寿命至关重要。其内置的匹配网络不仅降低了外部匹配元件的数量，还提高了生产一致性与良率，减少了研发周期。另外，陶瓷封装提供了优异的气密性和散热路径，结合低热阻设计（≤1.2°C/W），可在长时间满负荷运行时有效控制结温上升，防止热失效，保障系统长期可靠运行。

QM75DY-24主要面向高性能无线基础设施市场，特别适用于现代蜂窝通信基站中的射频功率放大模块。它被广泛用于宏蜂窝基站的主功率放大级，支持从2G到5G NR在内的多种空中接口标准，尤其在3.3 GHz至4.2 GHz的中频段5G部署中发挥关键作用。由于其宽带特性，该器件也常用于多频段多载波集成平台，例如支持FDD与TDD双模运行的基站系统，能够在一个硬件平台上同时处理多个频段的信号放大任务，从而降低运营商的部署成本和空间占用。
　　在微波点对点回传链路系统中，QM75DY-24可用于构建高线性度、高效率的中功率放大单元，满足长距离数据传输对信号保真度的要求。这类应用通常需要在复杂调制格式（如1024QAM及以上）下维持低EVM和高ACLR性能，而QM75DY-24凭借其优异的线性度和稳定性正好契合这一需求。此外，该器件还可应用于军用通信、雷达前端、电子战系统以及测试测量设备中的宽带信号放大环节，尤其适合需要高可靠性与宽温工作的国防和航空航天领域。
　　在有线电视（CATV）和卫星通信地面站中，QM75DY-24也可作为宽带驱动放大器使用，提供足够的增益和动态范围以支持多频道信号的无失真传输。其支持DPD的能力使得它能够与现代软件定义无线电（SDR）架构无缝集成，实现智能化的功率管理与故障预测功能。随着5G-A（5G Advanced）和未来6G技术的发展，对更高频段、更大带宽和更高能效的需求将持续增长，QM75DY-24所代表的GaN宽带功放技术将成为构建下一代智能网络的重要基石。

QM75DP-10
　　QM75DS-24
　　QPW2009D