频率范围：960MHz - 1215MHz
　　输出功率：150W（典型值）
　　增益：约20dB
　　漏极效率：约60%
　　工作电压：28V
　　输入驻波比（VSWR）：< 2.5:1
　　封装类型：TO-247
　　阻抗匹配：50Ω

QM57016TR13-5K采用了先进的LDMOS工艺技术，提供了高功率密度和出色的热稳定性。其工作频率范围覆盖了多个关键的无线通信频段，使其成为蜂窝基站和其他高功率射频应用的理想选择。
　　该器件具有较高的线性输出能力，可以在多种调制格式下保持良好的信号质量，从而减少对后续滤波和校正电路的需求。此外，其高效的能量转换能力有助于降低系统功耗，提高整体能效。
　　在封装方面，QM57016TR13-5K采用TO-247封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高功率长时间运行的应用场景。同时，其内部匹配网络已经优化设计，可以直接与50Ω系统接口，简化了外部电路设计，提高了系统集成度。
　　由于其出色的可靠性和稳定性，该晶体管广泛应用于现代通信基础设施中，尤其是在4G LTE和未来的5G网络部署中扮演着重要角色。此外，它还适用于广播系统（如DVB-T、ATSC）和工业射频加热设备。

QM57016TR13-5K主要应用于以下领域：
　　1. 蜂窝通信基站：适用于GSM、CDMA、WCDMA、LTE等通信标准的功率放大器模块，支持多频段操作。
　　2. 无线基础设施：用于宏基站、微基站和射频拉远单元（RRU）中的高功率射频放大。
　　3. 广播发射系统：包括DVB-T、ATSC、ISDB-T等数字电视广播系统的射频放大器。
　　4. 工业和医疗设备：用于射频加热、等离子体发生器、医疗射频治疗设备等需要高功率射频能量的应用。
　　5. 测试与测量设备：作为高功率射频信号源或放大器模块，用于通信设备测试、EMC测试等场景。

QM57016TR13, QM57016TR13-10K, MRF6V2150N, AFT05MS007N