QM5228FP 时间：2025/7/25 23:21:56 阅读：5

QM5228FP是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用高性能的U-MOS技术，提供低导通电阻和高效率的开关性能。QM5228FP封装为SOP（小外形封装），适用于需要高效能和小尺寸设计的电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：13mΩ（典型值，@Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：100W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOP

特性

QM5228FP采用东芝的U-MOS VI技术，具有极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持4V至10V的驱动电压，使其适用于多种控制电路。此外，该MOSFET具有快速开关特性，降低了开关损耗，适合高频开关应用。
　　该器件的封装设计紧凑，适合高密度PCB布局。其热阻低，有助于快速散热，确保在高电流工作条件下的稳定性。QM5228FP还具备高雪崩耐受能力和过热保护特性，增强了器件的可靠性。