型号：QM50TX-HB
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　漏极电流（ID）：38A（@TC=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.065Ω（@VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：3~5V
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　输入电容（Ciss）：1400pF（@VDS=25V）
　　输出电容（Coss）：350pF（@VDS=25V）
　　反向恢复时间（trr）：典型值为45ns
　　封装形式：TO-220F

QM50TX-HB的核心特性之一是其基于先进Trench结构的MOSFET芯片技术，这种结构通过在硅片上构建垂直沟道来大幅提升载流子迁移率，从而实现更低的导通电阻与更高的电流密度。相较于传统的平面型MOSFET，Trench工艺有效减小了单位面积下的RDS(on)，使得在相同封装尺寸下可承载更大电流，同时降低温升。这一特性对于高效率电源设计尤为重要，尤其是在连续导通模式下的PFC电路或LLC谐振转换器中，能够显著减少能量损耗，提高能效等级。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。QM50TX-HB具有较低的总栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这不仅降低了驱动IC的负载，还减少了开关过程中的延迟时间，使器件更适合高频操作场景。例如，在现代SMPS（开关模式电源）设计中，工作频率往往超过100kHz，甚至达到数百kHz，此时低Qg意味着更少的驱动功耗和更快的开关响应，进而提升整体电源效率。此外，较低的输出电容（Coss）也有助于减少关断时的能量损耗，避免不必要的热量积累。
　　热稳定性方面，QM50TX-HB采用高导热性的封装材料与内部连接工艺，确保热量可以从芯片快速传递至散热器或PCB。其高达200W的最大功耗能力表明其具备强大的散热潜力，尤其在配备适当散热片的情况下，可在持续大电流工况下稳定运行。此外，宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其适用于极端温度环境，如工业自动化设备、户外通信基站或高温照明系统等应用场景。
　　安全与可靠性也是QM50TX-HB的重要优势。该器件具备较强的雪崩耐量和抗短路能力，在突发过压或瞬态负载变化情况下仍能维持正常功能。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性（trr≈45ns），可有效抑制电压尖峰，减少电磁干扰（EMI）。同时，其栅氧化层经过严格质量控制，保证了长期使用的绝缘可靠性，防止因栅极击穿导致的失效问题。这些特性共同保障了其在复杂电磁环境和恶劣工况下的长期稳定运行。

QM50TX-HB广泛应用于各类中高功率电力电子系统中，尤其适合对效率、体积和可靠性有较高要求的应用场景。在开关电源领域，它常用于AC-DC适配器、ATX电源、服务器电源模块等设备中，作为主开关管或同步整流管使用，凭借其低RDS(on)和快速开关特性，显著提升电源转换效率，满足能源之星或80 PLUS等能效认证标准。
　　在DC-DC转换器中，特别是在升压（Boost）、降压（Buck）及半桥拓扑结构中，QM50TX-HB可用于高压侧或低压侧开关元件，适用于车载电源、工业控制电源等场合。其高耐压（500V）特性使其能够应对输入电压波动较大的环境，如电网不稳定区域的UPS不间断电源系统或太阳能逆变器前端电路。
　　此外，该器件也常见于电机驱动系统，如小型交流电机、步进电机或风扇驱动电路中，作为功率开关实现PWM调速控制。其高电流承载能力和快速响应特性有助于实现精确的速度调节和高效的能耗管理。
　　在照明应用方面，QM50TX-HB可用于电子镇流器、LED驱动电源或HID灯控制系统中，特别是在需要高压启动和恒流输出的场合表现出色。其稳定的开关行为和良好的热性能有助于延长灯具寿命并提升光效。
　　其他应用还包括充电桩辅助电源、工业加热控制、电焊机电源模块以及各类工业自动化设备中的功率开关单元。得益于其成熟的设计和稳定的供应链，QM50TX-HB已成为许多工程师在中高端功率设计中的首选器件之一。

SPW47N50C3
　　FQP50N50
　　STF5DN50M2
　　IRFP460LC