类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：38A @ 25℃
　　脉冲漏极电流（IDM）：152A
　　漏源导通电阻（RDS(on)）：0.075Ω @ VGS=10V
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 5V
　　栅极电荷（Qg）：90nC @ VGS=10V
　　输入电容（Ciss）：1300pF @ VDS=25V
　　体二极管反向恢复时间（trr）：470ns
　　最大工作结温（Tj）：150℃
　　封装形式：TO-220

QM50TX-H具备出色的电气性能和热稳定性，其核心特性之一是低漏源导通电阻（RDS(on)），典型值仅为75毫欧姆，在VGS=10V条件下可显著降低导通损耗，提高电源系统的整体效率。这一特性使其特别适用于大电流输出的开关电源设计中，能够有效减少发热，延长系统寿命。该器件的高漏源击穿电压（500V）确保了其在高压应用中的安全运行，即使在瞬态过压或负载突变情况下也能保持稳定。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。由于具有较低的栅极电荷（Qg=90nC）和输入电容（Ciss=1300pF），QM50TX-H可以实现快速的开关响应，从而减少开关损耗，尤其适合工作频率较高的DC-DC变换器或PFC电路。此外，该MOSFET具备良好的抗雪崩能力，意味着其在遭遇电压尖峰或能量冲击时不易损坏，提升了系统的鲁棒性。这种耐用性在电机驱动或感性负载切换场景中尤为重要。
　　TO-220封装不仅提供了良好的散热路径，还便于安装在散热片上以进一步提升热管理能力。该封装形式在工业级应用中极为常见，具备良好的机械强度和焊接可靠性。QM50TX-H的工作结温范围可达150℃，表明其可在较宽的温度范围内稳定运行，适应恶劣环境下的长期工作需求。此外，其栅源阈值电压范围为3V至5V，兼容标准逻辑电平驱动信号，便于与常见的PWM控制器或驱动IC配合使用。综合来看，QM50TX-H是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的功率MOSFET，适用于多种中高功率应用场景。

QM50TX-H广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在需要高效能和高可靠性的电源系统中表现出色。其典型应用包括AC-DC开关电源，如手机充电器、笔记本电脑适配器和LED驱动电源，其中作为主开关管或同步整流器件使用，能够显著提升转换效率并降低温升。在DC-DC转换器中，无论是降压（Buck）、升压（Boost）还是反激式（Flyback）拓扑，该器件均能提供稳定的开关性能和低导通损耗，适用于工业电源模块和通信设备供电系统。
　　此外，QM50TX-H也常用于电机控制电路中，例如小型直流电机或步进电机的驱动模块，凭借其高电流承载能力和快速响应特性，可实现精确的转速与扭矩控制。在太阳能逆变器、UPS不间断电源以及家用电器（如空调、洗衣机）的电源管理单元中，该MOSFET同样发挥着重要作用。其高耐压特性使其能够承受电网波动或负载突变带来的电压冲击，保障系统安全运行。
　　由于具备良好的抗干扰能力和热稳定性，QM50TX-H还适用于工业自动化控制系统、电焊机电源、电磁炉等高功率密度设备。在这些应用中，器件需长时间处于高温、高湿或强电磁干扰环境中，而QM50TX-H的结构设计和材料选择确保了其长期工作的可靠性。总体而言，该器件凭借其多功能性和稳健性能，已成为众多中等功率电子系统中的关键元件。

KSC50TX-H
　　FQA38N50
　　STP38NF20
　　IRFPE50