型号：QM50TB2-H
　　制造商：MagnaChip
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：500V
　　最大连续漏极电流（ID）：50A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：200A
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　最大功耗（PD）：300W
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值0.18Ω，最大值0.22Ω（@VGS=10V, ID=25A）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V（@ID=3mA）
　　输入电容（Ciss）：约3000pF（@VDS=250V, VGS=0V）
　　输出电容（Coss）：约900pF（@VDS=250V, VGS=0V）
　　反向恢复时间（trr）：约65ns（@IF=30A, dI/dt=100A/μs）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

QM50TB2-H具有优异的导通特性和开关性能，其核心优势在于低导通电阻RDS(on)，在VGS=10V且ID=25A条件下，典型值仅为0.18Ω，最大不超过0.22Ω，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提升了系统整体效率。这一特性尤其适用于大电流、高频开关应用场合，如高效AC-DC电源和DC-DC变换器。该MOSFET采用了先进的平面型（Planar）或沟槽工艺技术，优化了载流子迁移路径，提高了单位面积的电流承载能力，同时保持良好的热稳定性和长期可靠性。
　　器件具备高达500V的漏源击穿电压，可安全应用于高压直流母线系统中，例如光伏逆变器和工业电机驱动器。其最大连续漏极电流可达50A，脉冲电流能力高达200A，表现出强大的瞬态负载承受能力。此外，QM50TB2-H的栅极电荷（Qg）较低，通常在100nC左右（具体值需参考数据手册），有助于减少驱动电路的功耗，并实现更快的开关速度，从而降低开关损耗，提高电源系统的开关频率上限。
　　该MOSFET还内置了快速体二极管，反向恢复时间约为65ns，在硬开关拓扑中可有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI）。其TO-247封装提供了良好的散热性能，允许通过外部散热器将热量高效导出，确保长时间高负荷运行下的结温控制在安全范围内。工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应极端环境条件下的稳定工作。此外，器件经过严格测试，具备一定的雪崩耐量，能够在意外过压或感性负载突变时提供额外保护，增强系统鲁棒性。

QM50TB2-H主要用于需要高电压、大电流和高效率切换能力的电力电子设备中。典型应用场景包括开关模式电源（SMPS），特别是高功率服务器电源、通信电源和工业级AC-DC转换器，其中它常作为主开关管或同步整流器件使用，发挥其低导通损耗和快速响应的优势。在DC-DC升压或降压变换器中，该MOSFET可用于非隔离式Buck、Boost或Buck-Boost拓扑，也可用于隔离式正激、反激或LLC谐振转换器的初级侧开关。
　　在可再生能源领域，QM50TB2-H广泛应用于太阳能并网逆变器和储能系统中的DC-AC逆变电路，承担能量从直流侧到交流侧的高效转换任务。其高耐压能力和强电流输出特性使其能够应对光伏阵列产生的高直流电压，并支持并网所需的高频调制策略。此外，该器件也适用于不间断电源（UPS）系统，在市电中断时快速切换至电池供电模式，保障关键设备持续运行。
　　在工业自动化和电机驱动方面，QM50TB2-H可用于中小功率变频器或伺服驱动器的H桥电路中，实现对交流或直流电机的精确控制。其快速开关能力和良好的热管理特性有助于减少电机驱动过程中的能量损失，提高系统动态响应速度。另外，该MOSFET还可用于感应加热设备、电焊机、电动汽车车载充电机（OBC）以及高功率LED驱动电源等高端工业与消费类电子产品中，展现出广泛的适用性和高度的系统集成价值。