时间：2025/8/7 10:50:40
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QM50E2Y 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET器件，主要设计用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，使其适用于如DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及其他需要高功率密度和高效率的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V时最大为14.5mΩ，@Vgs=4.5V时最大为20mΩ
封装形式：TO-252（DPAK）
工作温度范围：-55°C至150°C
QM50E2Y MOSFET采用了东芝先进的U-MOS技术，提供极低的导通电阻以减少导通损耗，同时具备出色的开关性能，降低了开关损耗并提高了整体能效。其沟槽式结构设计不仅优化了电流传输路径，还提升了器件的热稳定性。此外，该器件具有较高的雪崩耐量，增强了在极端条件下的可靠性。其TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，适合表面贴装工艺，便于在紧凑的PCB布局中使用。此外，QM50E2Y还具有良好的栅极电荷特性（Qg），使其在高频开关应用中表现出色，同时降低了驱动电路的负担。该器件通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于汽车电子系统等高要求应用领域。
QM50E2Y的设计还考虑了抗静电能力（ESD保护），使其在装配和使用过程中更加耐用。同时，其稳定的栅极氧化层设计确保了长期工作的可靠性，适用于各种恶劣工作环境。
QM50E2Y广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动控制、电池管理系统（BMS）、光伏逆变器、服务器电源以及汽车电子系统中的功率控制模块。由于其高效率和紧凑的封装形式，该器件在便携式设备、工业自动化和新能源领域也有广泛应用。
SiR142DP-T1-GE3, IRF3710PBF, IPD90N10S3-03, FDP5030BL
