制造商：Qorvo
　　产品系列：RF Power LDMOS Transistor
　　型号：QM50DX-H
　　类型：N-Channel Enhancement Mode MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：50 A
　　最大漏源电压（VDS）：50 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　最大功耗（PD）：500 W
　　增益（Gain）：典型值24 dB @ 200 MHz
　　工作频率范围：30 MHz 至 500 MHz
　　封装类型：Ceramic Air Cavity Package (Flanged)
　　输入/输出阻抗：50 Ω 匹配设计
　　热阻结到外壳（RθJC）：0.25 °C/W
　　存储温度范围：-65 °C 至 +150 °C
　　工作结温范围：-40 °C 至 +200 °C

QM50DX-H的核心特性之一是其采用的先进LDMOS工艺技术，这一技术使得器件在高频下仍能保持高效率和高增益表现。LDMOS结构允许更高的击穿电压和更大的电流承载能力，同时具备较低的导通电阻和栅极电荷，从而显著提升了开关速度和功率转换效率。该器件在200MHz左右的典型增益可达24dB，这减少了对前级驱动级的要求，简化了整体放大器设计。此外，由于其高功率密度和优良的热传导性能，QM50DX-H能够在紧凑的空间内实现高达500W的连续波输出功率。
　　另一个关键特性是其气腔陶瓷封装设计，这种封装不仅提供了优异的散热性能，还避免了因塑封材料吸湿或老化导致的性能退化问题。陶瓷封装具有极低的介电损耗和稳定的机械结构，确保了在高温、高湿或振动环境下依然保持长期可靠性。器件底部带有金属法兰，便于安装在散热器上，实现高效的热管理。此外，该封装支持共面连接方式，有利于微波电路的集成与调试。
　　QM50DX-H具备出色的线性度和宽带匹配能力，在宽频率范围内都能维持稳定的输入和输出阻抗（50Ω），大幅降低了外部匹配网络的复杂度。这对于多频段或多用途射频系统尤为重要，因为它允许使用同一款晶体管适应不同频率的应用场景。同时，该器件具有良好的抗负载失配能力（VSWR耐受性），即使在输出端存在一定程度的驻波比恶化时，也能安全运行而不损坏，提高了系统的鲁棒性。
　　从系统集成角度看，QM50DX-H无需外置负偏压电源即可正常工作，仅需单正电源供电（+50V），降低了电源设计的复杂性和成本。其栅极阈值电压适中，兼容常见的驱动电路设计。此外，器件内部集成了静电防护结构，增强了对人为操作或环境静电的抵御能力，提升了生产良率和现场使用的稳定性。

QM50DX-H主要应用于需要高功率射频输出的工业和医疗设备中。在工业领域，它被广泛用于射频加热系统，例如塑料焊接、木材粘合、玻璃封接等工艺过程中，利用高频电磁场使介质材料内部产生热量，实现快速、均匀的加热效果。此外，在等离子体发生器中，该晶体管作为激励源提供足够的射频能量以维持等离子体放电，常见于半导体制造中的刻蚀和沉积工艺，以及废气处理和表面改性设备。
　　在医疗领域，QM50DX-H可用于射频消融治疗设备，如肿瘤消融仪和心脏射频消融导管系统，通过精准控制高频率交变电流产生的热效应来破坏病变组织，具有创伤小、恢复快的优点。同时，它也适用于医用消毒设备和生物样本处理仪器中的射频能量模块。
　　科研和测试测量设备也是其重要应用方向，例如高功率射频信号源、宽带放大器和EMC抗扰度测试系统中，QM50DX-H可作为末级功率放大单元，提供稳定且可重复的输出性能。此外，在广播发射机、短波通信系统和雷达激励级中也有潜在应用价值，尤其是在需要定制化高功率放大解决方案的场合。得益于其高可靠性和宽频带特性，QM50DX-H成为许多OEM厂商在开发高端射频能量系统时的首选器件之一。

MRF6VP25KH, MRF6VP25K, QPD1015, QPD1020