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QM48T14120-NAB0 发布时间 时间:2025/8/16 5:09:02 查看 阅读:24

QM48T14120-NAB0是一款由Qorvo公司生产的射频功率晶体管,主要用于无线通信系统中的射频功率放大器应用。这款晶体管基于氮化镓(GaN)技术制造,具有高功率密度、高效率和出色的热性能,适用于4G/5G基站、雷达、测试设备和工业应用。

参数

频率范围:1200 MHz - 1400 MHz
  输出功率:480 W (P3dB)
  增益:18 dB
  效率:65% (典型值)

特性

QM48T14120-NAB0采用Qorvo先进的GaN on SiC(碳化硅上氮化镓)技术,具有优异的功率处理能力和可靠性。该器件在1200 MHz至1400 MHz频段内提供高达480 W的线性输出功率,适用于需要高线性度和高效率的通信系统。其高增益特性(18 dB)降低了对前级驱动功率的要求,从而简化了系统设计。此外,该晶体管具备良好的热管理能力,能够在高温环境下稳定运行,提高了系统的整体可靠性。
  该器件采用工业标准封装形式(NAB0),便于集成到现有的射频功率放大器模块中。其50 V的工作电压设计,结合高效率(典型65%),有效降低了功耗,减少了散热需求,有助于实现紧凑型、高功率密度的系统设计。输入和输出回波损耗分别为15 dB和12 dB,确保了良好的信号匹配和稳定性。
  在制造工艺方面,QM48T14120-NAB0采用高可靠性的GaN技术,具有较长的使用寿命和抗高功率驻波比(VSWR)能力。这使得该晶体管在恶劣的工作条件下仍能保持稳定性能,适用于需要长期连续运行的通信基础设施。同时,该器件具备良好的抗静电能力和过温保护特性,进一步增强了系统的稳定性。

应用

QM48T14120-NAB0广泛应用于现代无线通信基础设施,包括4G LTE和5G NR基站、微波通信系统、雷达发射器、测试和测量设备、工业射频加热系统以及宽带无线接入设备。其高功率输出和优异的线性性能使其成为多载波通信系统和高效率基站放大器的理想选择。此外,该器件也可用于军事通信和高可靠性工业设备中的射频功率放大应用。

替代型号

QM68T14120-NAB0, CGH40049P, TGF2823-EPU

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QM48T14120-NAB0参数

  • 制造商Power-One
  • 产品Isolated
  • 输出功率168 W
  • 输入电压范围36 V to 75 V
  • 输入电压(标称)48 V
  • 输出端数量1
  • 输出电压(通道 1)12 V
  • 输出电流(通道 1)14 A
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体尺寸Quarter Brick
  • 绝缘电压2000 V