QM48859SR是一款高性能、低功耗的射频(RF)开关芯片,由Qorvo公司生产。该器件采用先进的GaAs工艺制造,适用于需要高隔离度和低插入损耗的射频信号切换应用。QM48859SR广泛用于无线通信系统、基站设备、测试仪器以及其他射频前端模块。
工作频率:DC至4000 MHz
插入损耗:典型值0.35 dB(最大0.5 dB)
隔离度:典型值45 dB(最小40 dB)
输入IP3:典型值+70 dBm
VSWR:输入端口1.3:1,输出端口1.5:1
控制电压:1.8V至5.0V兼容
封装类型:16引脚QFN(3mm x 3mm)
工作温度范围:-40°C至+85°C
QM48859SR具备优异的射频性能和灵活的控制接口,适用于多频段通信系统的设计。其低插入损耗确保了信号传输的完整性,同时高隔离度有效防止了不同通道之间的信号干扰。
该芯片支持宽频率范围(DC至4 GHz),使其适用于多种无线通信标准,如GSM、WCDMA、LTE和Wi-Fi等。此外,其高线性度(IP3为+70 dBm)确保在高功率信号环境下仍能保持良好的信号质量。
控制接口兼容1.8V至5.0V逻辑电平,方便与各种微控制器或FPGA进行连接。芯片采用16引脚QFN封装(3mm x 3mm),体积小巧,便于高密度PCB布局。
其宽工作温度范围(-40°C至+85°C)使其适用于工业级环境,确保在各种苛刻条件下稳定运行。
QM48859SR主要用于无线通信设备中的射频信号路径切换,例如多频段基站、无线测试设备、MIMO系统、Wi-Fi接入点、射频前端模块(FEM)以及工业自动化中的射频控制系统。
HMC649ALP3E、PE42642、SKY13350-345LF