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QM45858TR13-5K 发布时间 时间:2025/8/15 18:08:32 查看 阅读:9

QM45858TR13-5K 是一款由 Qorvo 公司设计的射频(RF)开关集成电路(IC),广泛用于无线通信系统中实现信号路径的选择。这款器件基于 GaAs(砷化镓)技术制造,具有优异的高频性能和较低的插入损耗,适用于多种射频应用场景。QM45858TR13-5K 采用 10 引脚 TDFN 封装,符合 RoHS 标准,具备良好的热稳定性和环境适应性。

参数

类型:射频开关
  通道数:1
  开关配置:SPDT(单刀双掷)
  工作频率范围:0.01 GHz 至 6 GHz
  插入损耗:典型值 0.5 dB(频率范围内的最大值不超过 0.8 dB)
  隔离度:典型值 35 dB @ 2.5 GHz
  VSWR(输入/输出):1.3:1
  功率处理能力:最大输入功率 30 dBm
  控制电压:1.8V 至 5V
  封装类型:10-TDFN

特性

QM45858TR13-5K 是一款高性能射频开关 IC,具有宽频带操作能力,其工作频率范围覆盖从 10 MHz 到 6 GHz,适用于多种无线通信标准,如 Wi-Fi、LTE、GSM、WCDMA 和蓝牙等。该器件采用 GaAs 技术,能够在高频条件下保持稳定的电气性能,同时具备较低的插入损耗和高隔离度,这对于信号完整性和系统灵敏度至关重要。
  该射频开关的 SPDT(单刀双掷)配置允许在两个射频路径之间进行快速切换,适合用于天线切换、收发切换或多路复用应用。插入损耗典型值为 0.5 dB,并且在频率范围内保持低于 0.8 dB,确保信号传输效率。隔离度在 2.5 GHz 下典型值为 35 dB,有效减少了不同信号路径之间的干扰。
  此外,QM45858TR13-5K 支持较宽的控制电压范围(1.8V 至 5V),使其兼容多种数字控制电路,如 FPGA、MCU 或 DSP 等控制器。其输入输出端口的 VSWR(驻波比)典型值为 1.3:1,表明其具有良好的阻抗匹配能力,降低了反射损耗。
  该器件的封装为 10 引脚 TDFN,体积小巧,便于集成在紧凑的 PCB 设计中,同时具备良好的热管理和可靠性,适用于工业和消费类电子产品。

应用

QM45858TR13-5K 主要应用于需要高性能射频切换功能的无线通信设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、无线接入点(Wi-Fi 路由器)、基站收发信机、射频测试仪器以及物联网(IoT)设备等。该器件可用于天线切换以实现多频段支持,也可用于收发器中的发射和接收路径切换,提高系统灵活性和性能。
  在移动通信领域,QM45858TR13-5K 可用于 LTE 和 5G 终端设备中,实现多个频段之间的快速切换,增强信号接收和传输能力。在无线基础设施中,该器件可用于多频段射频前端模块(FEM),支持多标准通信系统。此外,在射频测试设备中,它可作为高隔离度开关,用于测试信号路径的自动切换,提高测试效率和准确性。
  由于其宽频带特性和低插入损耗,该射频开关也适用于射频识别(RFID)、蓝牙低功耗(BLE)、Zigbee 和其他短距离无线连接技术,为多路复用或天线分集方案提供可靠的切换能力。

替代型号

HMC649ALP3E, SKY13350-345LF, PE42642-10

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