制造商：Qorvo
　　产品系列：QM400HH
　　器件类型：RF Power Transistor
　　工作频率范围：典型1.8 - 500 MHz
　　输出功率（Pout）：400 W（连续波）
　　增益：典型23 dB @ 250 MHz
　　效率：典型70% @ 250 MHz
　　供电电压（Vce）：50 V
　　输入驻波比（Input VSWR）：可承受无限驻波比（无限负载失配容限）
　　输出驻波比（Output VSWR）：可承受无限驻波比
　　热阻（Rth）：0.125 °C/W（结至外壳）
　　封装类型：气密封陶瓷金属封装（Ceramic Metal Package）
　　安装方式：通孔安装
　　工作温度范围：-65°C 至 +200°C（结温）
　　存储温度范围：-65°C 至 +200°C

QM400HH-H的核心特性之一是其卓越的宽带工作能力，在从低频段到UHF范围内的广泛频率区间内均能保持稳定的高功率输出。这种宽带性能得益于其优化的内部匹配网络设计，使得外部电路无需复杂的调谐即可实现高效运作。该器件在1.8 MHz至500 MHz范围内表现出优异的增益一致性与功率平坦度，减少了系统设计中对额外均衡电路的需求，从而降低了整体复杂性和成本。
　　另一个关键特性是其高可靠性和强大的失配耐受能力。QM400HH-H被设计为可在极端负载失配条件下安全运行，即输入和输出端口均可承受无限驻波比（infinite VSWR），这意味着即使天线开路或短路等异常情况发生，器件也不会轻易损坏。这一特性对于野外部署或工业环境中可能出现不可预测阻抗变化的应用至关重要，显著提升了系统的鲁棒性和维护周期。
　　该晶体管还具备出色的热管理性能。其陶瓷金属封装不仅提供了优良的气密性以防止湿气和污染物侵入，还通过低热阻路径将热量快速从PN结传导至散热器，有效控制工作温度。热阻仅为0.125°C/W，意味着每瓦特功耗仅导致0.125摄氏度的温升（相对于外壳温度），这对于长时间高功率运行极为有利。同时，器件支持使用导热垫或焊料直接连接至散热结构，进一步增强散热效果。
　　此外，QM400HH-H在制造过程中采用了严格的工艺控制和筛选流程，确保批次间的一致性和长期稳定性。所有器件均经过高温反偏（HTRB）测试和功率老化测试，符合军用级和工业级质量标准，适用于要求高可用性和长寿命的关键任务系统。其高增益和高效率组合也使得电源消耗更低，有助于降低运营成本并减少冷却需求。

QM400HH-H广泛应用于需要高功率射频放大的各类系统中。其主要用途包括工业加热与干燥设备中的射频能量源，如塑料焊接、木材粘合和食品加工等场景，这些应用依赖于稳定且可控的高频电磁能量来实现非接触式加热。此外，该器件常用于广播发射机系统，特别是在AM、FM及数字音频广播（DAB）基站中作为末级功率放大器，能够提供足够的覆盖范围和信号清晰度。
　　在通信领域，QM400HH-H适用于陆地移动无线电（LMR）系统、业余无线电放大器以及公共安全通信网络，支持多种模拟与数字调制方式，保障语音和数据传输的质量与距离。由于其宽频带特性，也可用于多频段兼容的战术通信设备和应急通信平台。
　　科研和医疗设备同样是其重要应用场景。例如，在核磁共振（NMR）、等离子体生成装置和射频消融治疗仪器中，QM400HH-H可作为驱动级或主放大级元件，提供精确可控的射频激励信号。其高可靠性和环境适应性使其成为实验室和现场测试设备的理想选择。
　　最后，在电子对抗（EW）和雷达系统中，该器件可用于构建高功率前端模块，支持脉冲或连续波模式操作，满足特定军事和航空电子系统对瞬时大功率输出的需求。总之，QM400HH-H凭借其综合性能优势，在多个高科技和工业领域发挥着重要作用。

MRF6VP2400H, BLF6G20LS-250, PD55003HRF