时间：2025/12/30 11:40:48
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QM262D1 是一款由 Qorvo 生产的射频功率晶体管，采用 GaN（氮化镓）技术制造，适用于高频和高功率应用。该晶体管设计用于在 L 波段至 S 波段范围内工作，提供高增益和高效率的性能。QM262D1 常用于雷达、通信系统和其他需要高功率射频放大的设备中。
类型：射频功率晶体管
材料：GaN（氮化镓）
频率范围：1.2 GHz - 1.4 GHz
输出功率：260 W（典型值）
增益：18 dB（典型值）
效率：60% 以上
封装类型：陶瓷金属封装
漏极电压：50 V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
QM262D1 拥有卓越的射频性能和可靠性，其基于 GaN 技术的特点使得该晶体管在高频率和高功率条件下表现优异。GaN 技术提供了比传统 LDMOS 和 GaAs 技术更高的功率密度和更高的工作频率能力。QM262D1 在 1.2 GHz 至 1.4 GHz 的频率范围内工作，具有 260 W 的典型输出功率和 18 dB 的增益，使其非常适合用于高性能射频放大器。此外，该器件的效率超过 60%，有助于减少功耗并提高系统整体能效。
这款晶体管采用陶瓷金属封装，提供良好的热管理和机械稳定性，适用于高要求的工业和军事应用。其漏极电压为 50 V，能够在较高的电压条件下稳定运行。工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，确保了在极端环境下的可靠性。
QM262D1 主要用于需要高功率和高频率的射频放大器应用，包括雷达系统、通信基站、测试设备以及电子战系统等。其高功率输出和高增益特性使其在这些应用中发挥重要作用。
QM262D1 可以被 Qorvo 的其他 GaN 射频功率晶体管替代，例如 QM263D1 或 QM264D1，这些型号在某些应用中可能提供类似的性能参数。
