类型：射频功率晶体管
　　晶体管类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极电流：2A
　　最大集电极-发射极电压：30V
　　最大集电极-基极电压：50V
　　最大功耗：30W
　　频率范围：DC至1GHz
　　增益：约14dB
　　输出功率：26dBm
　　封装类型：TQFN
　　引脚数：16
　　工作温度范围：-40°C至+150°C

QM26002TR7X具备优异的射频性能，能够在高频条件下提供稳定的输出功率和高线性度。其主要特性包括高功率增益、低失真和良好的热稳定性。该器件的TQFN封装设计有助于降低寄生效应，提高散热效率，确保在高功率操作时的可靠性。
　　该晶体管的输入和输出匹配网络经过优化，能够在广泛的工作频率范围内实现高效能，从而减少外部元件的数量并简化电路设计。此外，其高ESD（静电放电）耐受能力增强了器件在复杂环境中的稳定性，降低了损坏风险。
　　QM26002TR7X还具备出色的温度特性，能够在高温环境下保持稳定性能，适用于对可靠性要求较高的工业和军事应用。其低电流消耗和高效率特性使其成为电池供电设备和高密度电路设计的理想选择。

QM26002TR7X主要用于无线通信系统中的射频功率放大器模块，例如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、雷达系统和测试设备。其高频性能和高线性度使其适用于多载波通信系统，如4G LTE和5G NR基站设备。
　　在工业领域，该器件可用于射频加热、等离子体发生器和射频识别（RFID）系统。同时，其高可靠性和耐环境能力也使其适用于航空航天和国防通信设备，如战术电台和卫星通信系统。
　　由于其紧凑的封装尺寸和高性能特性，QM26002TR7X也适用于高密度PCB设计，例如便携式测试仪器和嵌入式射频模块。

QM26002TR7, QM26001TR7X