类型：射频功率MOSFET
　　材料：硅（Si）
　　技术：LDMOS
　　最大漏极电流（ID）：250 A
　　最大漏源电压（VDS）：65 V
　　频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：250 W（典型值）
　　增益：22 dB（典型值）
　　效率：超过65%
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：表面贴装（SMT）
　　输入/输出阻抗：50 Ω（标准）
　　栅极电压范围：-10 V 至 +30 V

QM25002TR13-5KHW是一款高性能射频功率晶体管，其基于LDMOS技术的设计使其在高频下仍能保持优异的线性度和效率。该器件的最大漏源电压为65V，最大漏极电流为250A，能够提供高达250W的输出功率，适用于2.3GHz至2.7GHz频段的通信系统。其高增益（22dB）和高效能（超过65%）特性，使其成为基站放大器和其他高功率RF应用的理想选择。
　　该晶体管采用先进的封装技术，具有优异的热传导性能，有助于在高功率操作下保持较低的结温，从而提高器件的可靠性和寿命。此外，其宽广的工作温度范围（-65°C至+150°C）确保其在各种恶劣环境下依然稳定运行。
　　QM25002TR13-5KHW的输入和输出阻抗匹配为50Ω，便于集成到标准射频系统中，减少外部匹配网络的复杂度。该器件的栅极电压范围为-10V至+30V，具有较高的抗过压能力，增强了使用过程中的稳定性与安全性。

QM25002TR13-5KHW广泛应用于各种高功率射频系统，如4G/5G移动通信基站、工业射频加热设备、医疗射频治疗仪器、广播发射机以及测试与测量设备。由于其高线性度和高效率，该器件特别适合用于多载波通信系统中的功率放大器模块，能够有效减少信号失真，提高频谱利用率。
　　在无线通信领域，该晶体管适用于多输入多输出（MIMO）系统和远程射频头（RRH）设计，为现代蜂窝网络提供高效能支持。此外，其优异的热管理能力使其在紧凑型高密度电路板设计中也能保持良好的性能表现。

QM25002TR13-5KHW的替代型号包括：NXP的BLF881P、Cree的CGH40025F、以及Infineon的BLS13G2550H。这些型号在输出功率、频率范围和封装形式上具有相似特性，可根据具体应用需求进行选型替代。