时间：2025/5/10 8:56:15
阅读：82
QM22645TR13 是一款高性能的功率 MOSFET，采用先进的半导体制造工艺设计，具有低导通电阻和快速开关特性。该器件适用于多种电源管理应用场合，包括 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。其封装形式为 TO-263，能够提供优异的散热性能以满足高功率密度需求。
QM22645TR13 的设计使其能够在高频开关条件下保持高效运行，并且具备出色的抗浪涌能力和稳定性，非常适合工业及消费电子领域的严苛应用环境。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ
栅极电荷(Qg)：80nC
工作温度范围(Ta)：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-263
QM22645TR13 拥有卓越的电气特性和机械性能，主要体现在以下几个方面：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在高电流应用中可显著降低功耗并提升效率。
2. 快速开关能力使得它非常适合高频开关模式电源(SMPS) 和同步整流电路。
3. 强大的过载保护功能和高耐压等级确保了设备在恶劣环境下的可靠性。
4. 紧凑型封装与高效的散热设计相结合，为紧凑型设计提供了便利。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代化电子产品之中。
QM22645TR13 广泛应用于各类需要高效功率转换和控制的领域，具体包括但不限于以下几种：
1. 开关模式电源(SMPS)，如适配器、充电器和分布式电源系统。
2. 工业设备中的电机驱动和逆变器模块。
3. 通信基础设施中的负载开关和保护电路。
4. 汽车电子中的电池管理系统(BMS) 和 DC-DC 转换器。
5. 高效 LED 驱动器和其他需要大电流输出的应用场景。
IRFZ44N, FDP5570N
