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QM18213TR13 发布时间 时间:2025/8/15 9:57:25 查看 阅读:21

QM18213TR13 是一款由Qorvo公司生产的高性能射频(RF)功率晶体管,采用先进的GaAs(砷化镓)技术制造。这款晶体管专门设计用于高频率应用,如无线基础设施、基站放大器、工业和医疗射频设备等。QM18213TR13 采用表面贴装封装(SMD),具备良好的热管理和高频性能,适合在高功率条件下运行。其高线性度和高效率使其成为现代通信系统中关键的放大元件。

参数

类型:射频功率晶体管
  材料:GaAs
  最大工作频率:2.7 GHz
  输出功率:180 W(典型值)
  漏极电压(Vds):28 V
  栅极电压(Vgs):-2.5 V 至 0 V
  漏极电流(Idq):600 mA(典型值)
  增益:13 dB(典型值)
  效率:40%(典型值)
  封装类型:表面贴装(SMD)

特性

QM18213TR13 的主要特性之一是其在高频条件下仍然保持出色的功率输出和效率。该器件工作频率可达2.7 GHz,适用于多种无线通信标准,包括GSM、WCDMA和LTE等。其高输出功率(180W)使其适用于基站和高功率放大器设计。此外,该晶体管具有良好的线性度,减少了信号失真,从而提高了通信质量。
  另一个显著特性是其热管理能力。该器件采用高导热封装材料,能够有效地将热量从芯片传导出去,确保在高功率运行时的稳定性。这对于长时间运行的通信设备来说至关重要。
  此外,QM18213TR13 具备良好的抗失真能力和高动态范围,使其在多载波放大器应用中表现出色。其表面贴装封装形式便于自动化生产和高密度电路设计,降低了整体系统成本。

应用

QM18213TR13 主要应用于无线通信基础设施,如蜂窝基站的功率放大器模块(PAM)。它也适用于广播系统、工业加热设备、医疗射频设备以及各种高功率射频测试设备。由于其高频性能和高效率,该晶体管也广泛用于军事和航空航天领域的射频系统中。

替代型号

QM18213TR13 的替代型号包括:
  1. Qorvo QPD18213
  2. Cree/Wolfspeed CGH40010F
  3. NXP MRFE6VP61K25H
  4. Infineon BFP820
  5. STMicroelectronics STD182K3

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