QM15KD-HB 时间：2025/9/29 16:21:25 阅读：28

QM15KD-HB是一款由UTC（友顺科技）生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等高效率、高频开关场景。该器件采用先进的平面技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高输入阻抗和快速开关响应的特点，能够有效降低系统功耗并提升整体能效。QM15KD-HB封装形式为TO-252（DPAK），属于表面贴装型封装，便于自动化生产装配，并具备良好的散热性能，适用于中等功率级别的应用场合。其设计注重可靠性与稳定性，在高温环境下仍可保持优异的电气性能，适合工业控制、消费类电子及通信设备中的功率开关需求。
　　该MOSFET的工作电压等级为150V，连续漏极电流可达18A，具备较强的负载驱动能力。同时，器件内部集成了快速恢复体二极管，可在感性负载关断时提供反向电流路径，防止电压尖峰对主控电路造成损害。此外，QM15KD-HB符合RoHS环保标准，不含铅和其他有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。通过优化栅极结构和工艺参数，该芯片在开关损耗与导通损耗之间实现了良好平衡，是中小功率电源系统中理想的功率开关元件之一。

参数

型号：QM15KD-HB
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：150V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　连续漏极电流(ID)：18A @ 25℃
　　脉冲漏极电流(IDM)：72A
　　导通电阻(RDS(on))：95mΩ @ VGS=10V, ID=9A
　　导通电阻(RDS(on))：120mΩ @ VGS=4.5V, ID=9A
　　阈值电压(Vth)：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷(Qg)：36nC @ VGS=10V
　　输入电容(Ciss)：1060pF @ VDS=25V
　　输出电容(Coss)：190pF @ VDS=25V
　　反向恢复时间(trr)：48ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252(DPAK)

特性

QM15KD-HB的核心优势在于其低导通电阻与高电流承载能力的结合，这使其在高频率开关应用中表现出色。其典型RDS(on)仅为95mΩ（在VGS=10V条件下），显著降低了导通状态下的功率损耗，从而减少了发热，提升了系统效率。这一特性特别适用于大电流输出的同步整流电路或H桥驱动拓扑中，能够在长时间运行下维持较低的温升，延长设备寿命。
　　该器件采用了优化的硅基工艺和沟槽栅结构设计，不仅提高了载流子迁移率，还增强了器件的雪崩能量耐受能力，使其在突发过压或负载突变情况下具备更强的鲁棒性。此外，较低的栅极电荷（Qg=36nC）意味着驱动电路所需的驱动功率更小，有助于简化驱动器设计并降低外围元件成本，尤其适合与PWM控制器或逻辑门直接接口的应用场景。
　　TO-252封装提供了良好的热传导路径，允许通过PCB上的散热焊盘将热量迅速传导至外部环境，进一步提升了器件的热稳定性。这种封装方式既支持波峰焊接也兼容回流焊工艺，适应现代化SMT生产线的需求。同时，该MOSFET具有较高的输入阻抗，几乎不吸收驱动电流，因此可以用微弱信号实现高效控制，非常适合用于电池供电设备或待机电源模块等对能耗敏感的应用领域。
　　另外，QM15KD-HB具备出色的开关速度，得益于较小的寄生电容和快速的反向恢复时间（trr=48ns），能够实现快速的上升沿和下降沿切换，减少开关过渡过程中的交越损耗，这对提高DC-DC变换器的转换效率至关重要。同时，其宽泛的工作温度范围（-55℃~+150℃）确保了在极端环境条件下的可靠运行，适用于工业级和汽车电子等严苛应用场景。

应用

QM15KD-HB常被用作开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流管，尤其在升压（Boost）、降压（Buck）和反激式（Flyback）拓扑结构中表现优异。它也可广泛应用于直流电机驱动电路，作为H桥中的上下桥臂开关元件，实现正反转和调速控制。在LED恒流驱动电源中，该MOSFET可用于构建高效的开关调节回路，以稳定输出电流并提升光效一致性。
　　此外，该器件适用于各类适配器、充电器、UPS不间断电源以及太阳能逆变器等电力转换装置。由于其具备良好的动态响应能力和较高的耐压水平，QM15KD-HB还能胜任工业自动化控制系统中的固态继电器（SSR）或电磁阀驱动任务。在消费类电子产品如电视、显示器、路由器等内置电源模块中，也常见其身影。凭借TO-252封装的小型化优势和优良散热特性，该MOSFET同样适合空间受限但需较高功率密度的设计方案。