QM14001TR13 时间：2025/8/15 11:49:57 阅读：23

QM14001TR13 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备等应用。该器件采用 3 引脚的 SOT-223 封装，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能，适合在紧凑型电路设计中使用。QM14001TR13 的设计使其能够在低电压下工作，从而提高能效并减少功率损耗。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压 Vds：20V
　　栅源电压 Vgs：±12V
　　连续漏极电流 Id：500mA
　　导通电阻 Rds(on)：1.6Ω @ Vgs=4.5V；2.0Ω @ Vgs=2.5V
　　功率耗散：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装：SOT-223

特性

QM14001TR13 具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下的低功率损耗，提高了系统效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，使其适合用于高频开关应用。SOT-223 封装提供了良好的散热性能，使得该 MOSFET 可以在较高电流下稳定运行。QM14001TR13 还具有良好的雪崩能量能力，增强了其在严苛环境下的可靠性和耐用性。该器件符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的电子产品设计。
　　另外，QM14001TR13 在栅极驱动电压较低的情况下仍能保持良好的性能，支持 2.5V 至 4.5V 的栅极驱动电压范围，适合用于低电压控制系统。其高输入阻抗和快速开关特性使其成为数字控制电源和便携式电子设备的理想选择。

应用

QM14001TR13 主要应用于低电压电源管理系统，包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关和电池供电设备等。由于其低导通电阻和良好的热性能，该器件也常用于便携式电子产品中的功率开关，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。此外，QM14001TR13 还适用于 LED 照明驱动电路、USB 电源开关和传感器控制电路等需要高效能、小尺寸功率 MOSFET 的场合。