时间：2025/8/15 22:54:13
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QM13119TR13 是一款由 Qorvo 公司制造的 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高功率和高频应用。这款晶体管在设计上具有高效率和高可靠性，广泛用于无线基础设施、雷达系统、工业加热和射频放大器等高要求的应用场景。
类型：GaN HEMT
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏-源电压（VDS）：65V
频率范围：2.7GHz - 3.5GHz
输出功率：100W
增益：20dB
封装类型：表面贴装（SMD）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
QM13119TR13 采用 GaN 技术，提供高功率密度和出色的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其高击穿电压和低导通电阻特性使其适用于高效率功率放大器设计。此外，该器件具有良好的线性度和低噪声性能，能够满足高性能射频系统对信号完整性的要求。QM13119TR13 的封装设计优化了射频性能和散热能力，使其在高频应用中表现出色。其表面贴装封装适用于自动化生产和高密度 PCB 布局，提高了制造效率和系统可靠性。
该晶体管还具有出色的耐用性和长期稳定性，适用于严苛的工业和军事环境。其设计支持多种射频应用，包括基站、无线回传、测试设备和射频能量应用。QM13119TR13 在宽频率范围内保持稳定的性能，简化了系统设计并提高了整体效率。
QM13119TR13 主要用于无线通信基础设施、射频功率放大器、雷达和测试设备等应用。它也适用于工业射频加热系统、医疗射频设备以及高性能无线发射机。
QM13119TR13 可以被 Qorvo 的其他 GaN HEMT 器件替代，例如 QM13118TR13 或 QM10119TR13，具体取决于应用需求和性能要求。
