工作频率：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：19W（典型值）
　　增益：18dB（典型值）
　　效率：40%以上
　　工作电压：28V
　　输入阻抗：50Ω
　　输出阻抗：50Ω
　　封装类型：SMD（表面贴装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

QM13119SR具有多项卓越的性能特性，首先其基于GaAs材料的HEMT（高电子迁移率晶体管）技术，使得该器件在高频段表现出色，适用于2.3GHz至2.7GHz的宽带宽应用。该器件在典型工作频率范围内可提供高达19W的输出功率，增益可达18dB，具有良好的线性度，有助于降低通信系统中的信号失真。
　　此外，QM13119SR的工作电压为28V，具有较高的电源效率（超过40%），有助于减少热量产生并提高系统整体能效。其50Ω的标准输入和输出阻抗设计，使其能够轻松集成到现有的射频电路中，减少了外部匹配电路的复杂性。
　　该器件采用坚固耐用的SMD封装，适用于自动化装配流程，并具有良好的热稳定性和机械稳定性，能够在-40°C至+85°C的宽温度范围内可靠运行，适合各种严苛的工业和通信环境。

QM13119SR广泛应用于多种射频功率放大场景中，尤其是在无线通信基础设施中，如4G LTE基站、WiMAX系统和小型蜂窝基站等。由于其高线性度和宽带宽特性，它能够有效支持多载波和OFDM信号的放大，从而提升通信系统的频谱利用率和信号质量。
　　此外，该器件也适用于测试设备中的射频信号源，例如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪等，作为其输出功率放大模块，提供稳定可靠的射频输出能力。在雷达和电子战系统中，QM13119SR也可用于中功率发射前端，提供高效、稳定的射频能量输出。
　　对于无线广播系统，如数字广播和电视发射机，QM13119SR同样可以作为中功率放大器使用，确保高质量的信号传输和覆盖范围。

QM13118SR, MRF6V2190AN, CGH40010F