QM11022TR13-5K是一款由Qorvo公司设计的射频(RF)开关芯片,属于其广泛的射频元件产品线之一。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有优异的高频性能和低插入损耗,适用于多种无线通信系统。QM11022TR13-5K是一种单刀双掷(SPDT)射频开关,通常用于在两个射频路径之间进行高速切换。该器件采用紧凑的表面贴装封装,适用于便携式设备和高密度电路板设计。
工作频率:DC ~ 2.5 GHz
插入损耗:典型值0.4 dB(频率范围1 GHz以下)
隔离度:> 35 dB @ 1 GHz
VSWR(输入/输出):典型值1.2:1
功率处理能力:最大30 dBm(连续波)
控制电压:1.8 V ~ 5.0 V兼容
封装类型:TQFN(4x4 mm)
工作温度范围:-40°C ~ +85°C
QM11022TR13-5K射频开关芯片具备多项优异特性,适合各种高性能射频应用。其一,该器件采用先进的GaAs技术制造,具有极低的插入损耗和出色的隔离度,确保信号传输的高效性和稳定性。在1 GHz以下频率范围内,插入损耗典型值仅为0.4 dB,而隔离度则超过35 dB,这使得它非常适合用于需要高信号完整性的系统中,如蜂窝通信、Wi-Fi模块和蓝牙设备。
其次,QM11022TR13-5K的工作频率范围覆盖DC至2.5 GHz,能够支持多种无线通信标准,包括GSM、CDMA、WCDMA、LTE、Wi-Fi 802.11a/b/g/n/ac等。这使得它成为多频段或多标准设备中的理想选择。
此外,该射频开关具有良好的电压驻波比(VSWR),输入和输出端口的典型VSWR为1.2:1,表明其在宽频率范围内具有优良的阻抗匹配能力,从而减少信号反射和功率损耗。这种特性对于提高系统整体效率和减少热损耗至关重要。
QM11022TR13-5K还支持宽范围的控制电压(1.8 V至5.0 V),使其能够与多种逻辑电平(如1.8 V、2.5 V、3.3 V和5 V)兼容,从而简化了系统设计并提高了灵活性。该器件的控制信号响应速度快,适合用于需要快速切换的应用场景。
在功率处理方面,QM11022TR13-5K可承受高达30 dBm的连续波(CW)功率,适用于中高功率射频系统,如基站、无线接入点和工业通信设备。其紧凑的TQFN封装(4x4 mm)设计不仅节省空间,还便于自动化生产和高密度PCB布局。
最后,该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在各种恶劣环境下稳定运行,适用于工业级和汽车级应用。
QM11022TR13-5K射频开关广泛应用于多种无线通信系统和射频前端模块中。其典型应用场景包括蜂窝通信基础设施(如GSM、CDMA、WCDMA、LTE等)、Wi-Fi接入点和路由器、蓝牙和ZigBee模块、GPS接收器、RFID读写器、工业自动化设备和测试测量仪器。此外,该器件还可用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的射频路径切换,以提高多频段支持和信号质量。由于其良好的功率处理能力和宽频率范围,QM11022TR13-5K也可用于天线调谐、发射/接收切换以及射频信号路由等关键功能。
S1H3T-S-DC, PE4259, HMC642ALC4B, ADG904