型号：QM100HY2H
　　器件类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（Vces）：1200V
　　集电极电流（Ic @ 25°C）：100A
　　集电极电流（Ic @ 80°C）：约60A（典型降额值）
　　最大结温（Tj）：150°C
　　栅极-发射极电压（Vge）：±20V（最大）
　　饱和导通电压（Vce(sat) @ Ic=100A, Vge=15V）：约2.1V（典型值）
　　开关时间（开通延迟时间td(on)）：约150ns
　　开关时间（关断延迟时间td(off)）：约450ns
　　反向恢复时间（trr）：约75ns（针对内置二极管）
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.25°C/W
　　封装形式：Easy1B 或类似行业标准封装
　　安装方式：螺钉固定，带绝缘垫片或硅脂

QM100HY2H的核心特性在于其采用了先进的沟槽栅场截止（Trench Field-Stop）IGBT芯片技术，这种结构能够显著降低电场在集电极边缘的集中效应，从而提升器件的击穿电压稳定性和可靠性。同时，该技术有效减小了漂移区的厚度，降低了通态压降（Vce(sat)），使得在额定工作电流下导通损耗大幅下降，提高了整体系统效率。此外，该模块的开关特性经过优化，具有较快的开关速度和较低的开关能量损耗（Eon和Eoff），有助于减少热量产生，提升功率密度。
　　另一个重要特性是其内置的快速恢复二极管（FWD），该二极管具有低反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，能够在高频开关应用中有效抑制电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统的稳定性与安全性。二极管的反向恢复时间短，配合IGBT使用可实现高效的能量回馈和续流功能，特别适用于PWM控制的逆变电路。
　　在热管理方面，QM100HY2H采用低热阻的陶瓷基板（如Al2O3或Si3N4）和高导热焊料进行芯片连接，确保热量从芯片快速传导至外壳，再通过外部散热器散发出去。其热阻Rth(j-c)控制在较低水平（约0.25°C/W），支持长时间高负载运行。模块封装具备良好的机械强度和抗热循环能力，能够在温度剧烈变化的环境中保持长期可靠性。
　　电气隔离方面，该模块通常提供高达2500VAC以上的绝缘耐压能力，满足工业级安全标准。此外，其引脚布局合理，便于PCB布线和母排连接，减少寄生电感，提升系统动态性能。整体设计兼顾了高效性、可靠性和易用性，适合多种中高功率应用场景。

QM100HY2H广泛应用于各类中高功率电力电子变换装置中。在工业自动化领域，常用于通用变频器和伺服驱动器中的逆变桥臂，实现对交流电机的精确调速与控制。由于其具备较高的电流承载能力和良好的动态响应特性，非常适合频繁启停和负载波动较大的工况。
　　在可再生能源系统中，该模块被广泛应用于光伏并网逆变器和储能变流器（PCS）中，作为DC-AC转换的核心开关元件。其高效率和低损耗特性有助于提升整个系统的能量转换效率，满足严苛的能效标准（如欧洲的ErP指令）。
　　在电源设备方面，QM100HY2H可用于大功率开关电源（SMPS）、通信电源和不间断电源（UPS）系统中的DC-DC或DC-AC级，尤其是在在线式UPS的逆变输出级中表现优异，能够提供稳定的正弦波输出。
　　此外，该模块也适用于电焊机电源，特别是逆变式弧焊机和MIG/MAG焊机，其快速开关能力和高电流脉冲耐受性可支持高质量的焊接过程控制。
　　近年来，随着电动汽车基础设施的发展，QM100HY2H也被用于交流充电桩（慢充）和部分直流快充模块的辅助电源或主功率回路中，尤其在中小功率充电桩中具有成本与性能的双重优势。其宽温度范围工作能力和高可靠性使其适应户外复杂环境下的长期运行需求。

Infineon FF100R12KS4
　　Fuji Electric 2MBI100U4B-120
　　Mitsubishi CM100DY-24A
　　ON Semiconductor NGTB100N120L3