型号：QM100E2Y-2H
　　制造商：Qorvo
　　类型：低噪声放大器（LNA）
　　工作频率范围：2.4 GHz 至 2.8 GHz
　　增益：约 18.5 dB
　　噪声系数：约 0.6 dB
　　输出P1dB：+15 dBm
　　IIP3（三阶交调截点）：+35 dBm
　　工作电压：3.3 V ~ 5 V
　　静态电流：典型值 75 mA
　　封装形式：SOT-89 或类似小型化表面贴装封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +105°C
　　集成匹配电路：是，输入/输出内部匹配至50Ω
　　关断功能：支持使能/禁用控制引脚
　　ESD保护：HBM > 2 kV
　　屏蔽封装：内置屏蔽以减少辐射耦合
　　直流偏置网络集成：是

QM100E2Y-2H具备卓越的低噪声性能，在2.4 GHz至2.8 GHz频段内实现了典型值仅为0.6 dB的噪声系数，这使得它在接收灵敏度要求极高的无线通信系统中表现出色。其高增益特性——典型增益达到18.5 dB——显著提升了信号链前端的信噪比，有助于降低后续混频器或ADC对动态范围的需求，从而优化整个接收机架构的设计复杂度和成本。更重要的是，该器件拥有出色的线性性能，IIP3高达+35 dBm，输出P1dB可达+15 dBm，意味着即使在强干扰信号存在的情况下，仍能保持良好的信号保真度，避免非线性失真导致的数据误码或邻道泄漏问题。
　　该芯片采用增强型pHEMT工艺，不仅提供了优异的高频性能，还具备良好的栅极阈值电压稳定性，便于直接连接逻辑电平控制信号，实现快速开启与关闭。其内部高度集成化设计包含了输入输出50Ω阻抗匹配网络、偏置电路及稳定性补偿网络，大幅减少了外部元件需求，降低了PCB面积占用并提高了生产良率。此外，该器件配备了一个使能控制引脚，允许用户通过数字信号对放大器进行上电/断电管理，在待机或空闲模式下可有效降低系统功耗，满足绿色节能与电池供电设备的应用需求。
　　封装方面，QM100E2Y-2H采用了带有内置电磁屏蔽的小型表面贴装封装（如SOT-89变种），有效抑制了高频自激振荡和外部干扰耦合，同时保证了良好的散热性能和长期工作的可靠性。其宽电源电压工作范围（3.3V~5V）增强了与其他系统模块的兼容性，尤其适合多电源域共存的复杂射频前端模块。该器件还具备高等级的ESD防护能力（HBM > 2kV），提升了在生产和现场部署过程中的鲁棒性。总体而言，QM100E2Y-2H是一款面向高性能无线基础设施和高端客户端设备的理想射频低噪声放大器解决方案。

QM100E2Y-2H广泛应用于需要高灵敏度和高线性度的射频接收前端系统中。典型应用包括5G NR sub-6GHz频段的小型蜂窝基站（Small Cell Base Stations）、固定无线接入终端（FWA CPE）、工业级路由器和网关设备。由于其工作频率覆盖2.4 GHz至2.8 GHz，特别适用于Wi-Fi 6/6E系统中的2.4 GHz和部分5 GHz频段前端放大，可用于高性能企业级AP、Mesh节点以及室外无线桥接设备。此外，该器件也常见于宽带无线回传系统、智能天线阵列、有源天线单元（AAU）以及军用或公共安全通信设备中，作为关键的低噪声增益模块使用。其高集成度和稳定的电气性能使其成为自动化批量生产的理想选择，适用于消费类、工业级乃至轻量级电信级产品平台。

UMS ULM-1740-A16
　　Mini-Circuits PGA-105+
　　NXP BFU760F
　　Infineon BGA280x系列
　　Broadcom AFEM-8150