时间：2025/9/29 12:50:27
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QM100DY-24K是一款由Qorvo公司生产的高性能、高可靠性GaN（氮化镓）功率晶体管，专为射频功率放大器应用设计，广泛应用于工业、科学与医疗（ISM）频段、无线基础设施、雷达系统以及广播发射机等高功率射频场景。该器件采用先进的氮化镓HEMT（高电子迁移率晶体管）技术，能够在高电压和高频条件下提供卓越的功率增益、效率和带宽性能。QM100DY-24K工作频率范围覆盖DC至2.5 GHz，适用于多种调制方式下的线性放大需求，尤其适合在L波段和S波段的高能效射频系统中使用。该器件封装形式为陶瓷金属封装（Ceramic/Metal Package），具备良好的热导性和机械稳定性，确保在严苛环境下的长期可靠运行。其内部集成源极连接以增强稳定性，并优化了输入/输出匹配网络布局，从而降低外部元件需求，简化系统设计流程。此外，QM100DY-24K具有出色的抗负载失配能力，能够承受高VSWR（电压驻波比）条件而不损坏，提高了系统的鲁棒性。
制造商：Qorvo
产品类型：射频功率晶体管
技术类型：GaN HEMT
工作频率：DC ~ 2.5 GHz
输出功率（Pout）：100 W（典型值）
漏极电压（Vd）：28 V
漏极电流（Id）：3.5 A（静态）
增益：>22 dB（典型值）
效率：>65%（典型值，功率附加效率PAE）
输入驻波比（Input VSWR）：≤2.5:1
输出驻波比（Output VSWR）：可承受无限大
工作温度范围：-55°C ~ +225°C（通道温度）
存储温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：陶瓷金属法兰封装
输入/输出阻抗：50 Ω兼容
热阻（Rth）：1.2°C/W（从结到外壳）
QM100DY-24K基于Qorvo成熟的GaN on SiC（碳化硅衬底氮化镓）工艺制造，具备优异的高频、高效率和高功率密度特性。该器件在28V供电条件下可实现高达100W的连续波（CW）输出功率，在整个DC至2.5GHz频率范围内保持稳定的增益响应和平坦的输出特性。其高功率附加效率（PAE > 65%）显著降低了系统功耗和散热需求，有助于提升整体能效并减少冷却系统的体积与成本。GaN技术带来的高击穿电场强度使得该器件可在较高电压下安全运行，从而减少电流需求，降低导通损耗，提高电源利用率。
该器件具有极强的耐用性和抗失配能力，即使在极端负载失配条件下（如开路或短路），也能通过内置保护机制避免永久性损伤，保障系统运行的稳定性。这一特性使其非常适合用于移动通信基站、军用雷达、电子战系统等对可靠性要求极高的场合。此外，QM100DY-24K的输入和输出端口均经过预匹配设计，接近50欧姆阻抗，大幅减少了外部匹配元件的数量，缩短了开发周期，提升了设计灵活性。
陶瓷金属封装不仅提供了优良的射频性能，还具备出色的热传导能力和机械强度，支持通过螺钉固定到底座进行强制风冷或液冷散热，适用于高功率密度应用场景。器件的通道最高工作温度可达+225°C，远高于传统LDMOS器件，进一步增强了高温环境下的可靠性。同时，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造要求。
QM100DY-24K主要应用于需要高功率、高效率和宽带宽的射频放大系统中。典型应用包括陆地移动无线电（LMR）、公共安全通信系统、业余无线电设备、ISM频段加热与等离子发生器、广播发射机（如UHF电视和FM电台）、雷达发射模块（特别是相控阵雷达中的固态功率放大器单元）以及测试与测量仪器中的驱动级或末级放大器。由于其宽频带特性，该器件也常被用于多频段兼容的通用射频平台设计，支持多种通信标准下的灵活配置。在军事和航空航天领域，QM100DY-24K因其高可靠性和耐环境能力，被广泛用于战术通信系统、电子对抗设备和无人机载通信链路中。此外，在工业加热、医疗射频能量设备等领域也有重要应用价值。
MRF100HR
CGH40010F
AMC2401SC
PD55003-E
