类型：碳化硅肖特基二极管
　　最大重复反向电压（VRRM）：1200V
　　平均正向整流电流（IF(AV)）：10A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：80A（单半波）
　　正向电压降（VF）：1.7V（典型值，@ IF = 10A, Tj = 25°C）
　　反向漏电流（IR）：250μA（最大值，@ VR = 1200V, Tj = 25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247-2L
　　热阻结至壳（RθJC）：2.5°C/W（典型值）
　　安装扭矩：0.6 N·m（推荐值）
　　极性：阴极引脚标识明确
　　反向恢复时间（trr）：0 ns（无反向恢复电荷）

QM100CY-H的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）材料的物理特性，使其在高温、高压和高频条件下依然保持卓越性能。与传统的硅基PIN二极管相比，SiC肖特基二极管不存在少数载流子存储效应，因此没有反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复电流（Irr），从根本上消除了开关过程中的能量损耗和电压振荡问题。这一特性极大提升了系统效率，特别是在硬开关拓扑如Boost PFC、LLC谐振变换器和三相逆变器中表现尤为突出。此外，由于其正向压降相对稳定且随温度变化较小，QM100CY-H能够在宽温度范围内维持高效导通状态，避免了传统硅器件在高温下导通损耗急剧上升的问题。
　　该器件的工作结温可达+175°C，远高于普通硅二极管的+150°C上限，这使得其在恶劣热环境中仍能可靠运行，减少了对外部冷却系统的依赖，有助于缩小整体系统体积和成本。同时，低热阻封装设计进一步增强了散热能力，确保长期工作的稳定性。QM100CY-H还具备出色的抗浪涌能力和瞬态过压耐受性，可在突发负载或电网波动情况下保护后级电路。其TO-247封装形式兼容主流功率模块装配工艺，支持自动贴片和回流焊，适用于大规模自动化生产。综合来看，QM100CY-H不仅提升了电源系统的能效水平，还增强了系统的鲁棒性和寿命，是现代高功率密度电源设计的理想选择。

QM100CY-H广泛应用于需要高效率和高可靠性的电力电子系统中。在新能源领域，它被用于光伏（PV）太阳能逆变器中的升压和续流二极管，帮助实现超过98%的转换效率；在电动汽车基础设施中，该器件可用于车载充电机（OBC）和直流快充桩的功率因数校正（PFC）级，显著降低能耗并提高充电速度。在工业电源方面，QM100CY-H适用于大功率开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）和工业变频器中的输出整流与钳位电路，能够承受频繁的开关应力并保持长期稳定运行。此外，在电机驱动系统中，该二极管常用于IGBT或SiC MOSFET的续流路径，防止反电动势损坏主开关器件。由于其优异的高温性能，也适合部署在密闭空间或自然冷却的设备中，如电信电源、服务器电源和高端家电变频模块。随着全球对节能减排要求的不断提高，QM100CY-H正在成为替代传统硅快恢复二极管的关键元件之一，在推动绿色能源技术和智能电网发展中发挥重要作用。

CREE C4D10120D
　　Wolfspeed C4D10120D
　　ON Semiconductor FFSH10120A
　　STMicroelectronics STPSC10H12-Y
　　Infineon IDW10G120C-4