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QM04N60F 发布时间 时间:2025/6/4 18:59:10 查看 阅读:4

QM04N60F是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和其他需要高效功率切换的场合。该器件采用TO-252封装,具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力,同时具备良好的开关性能。

参数

最大漏源电压:600V
  最大连续漏极电流:4.3A
  最大脉冲漏极电流:13A
  导通电阻:8.5Ω(典型值)
  栅极阈值电压:3V~6V
  功耗:1.8W
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

QM04N60F具有以下主要特性:
  1. 高击穿电压:600V,适用于高压环境。
  2. 低导通电阻:在额定条件下为8.5Ω,有助于减少传导损耗。
  3. 快速开关速度:优化了栅极电荷设计,从而提高了效率。
  4. 高雪崩能量能力:能够承受瞬态过压情况。
  5. 小型化封装:TO-252封装节省空间,适合紧凑型设计。
  6. 热稳定性强:能够在-55℃到+150℃范围内可靠工作。

应用

QM04N60F适用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC转换器中的高频开关。
  3. 电机驱动电路中的功率控制。
  4. 负载开关和保护电路。
  5. 各类工业控制和家用电器中的功率管理模块。

替代型号

IRF640N
  FDP014N10L
  STP4NB60S

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