时间：2025/6/4 18:59:10
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QM04N60F是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器和其他需要高效功率切换的场合。该器件采用TO-252封装，具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，同时具备良好的开关性能。
最大漏源电压：600V
最大连续漏极电流：4.3A
最大脉冲漏极电流：13A
导通电阻：8.5Ω（典型值）
栅极阈值电压：3V~6V
功耗：1.8W
工作温度范围：-55℃~150℃
QM04N60F具有以下主要特性：
1. 高击穿电压：600V，适用于高压环境。
2. 低导通电阻：在额定条件下为8.5Ω，有助于减少传导损耗。
3. 快速开关速度：优化了栅极电荷设计，从而提高了效率。
4. 高雪崩能量能力：能够承受瞬态过压情况。
5. 小型化封装：TO-252封装节省空间，适合紧凑型设计。
6. 热稳定性强：能够在-55℃到+150℃范围内可靠工作。
QM04N60F适用于以下应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的高频开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 负载开关和保护电路。
5. 各类工业控制和家用电器中的功率管理模块。
IRF640N
FDP014N10L
STP4NB60S
