QLMP-7032-F0031 时间：2025/9/15 20:31:24 阅读：27

QLMP-7032-F0031 是一款由TT Electronics公司生产的高性能红外发射器（Infrared Emitter），采用GaAlAs（砷化镓铝）材料制造，具备高效率和长寿命的特点。该器件采用标准的T-1（3mm）封装形式，适用于各种红外发射应用，包括红外遥控、光耦合、物体检测、距离测量等。该发射器的工作波长为870nm，属于近红外波段，能够在低电流下提供稳定的输出光功率。

参数

类型：红外发光二极管（IR LED）
　　材料：GaAlAs
　　波长：870 nm
　　封装类型：T-1（3mm）
　　正向电压：1.5V（典型值）
　　正向电流：100 mA（最大值）
　　反向电压：5V（最大值）
　　功率耗散：150 mW
　　工作温度范围：-40°C 至 +100°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +100°C
　　光强：2.0 mW/sr（典型值，IF=20mA）

特性

QLMP-7032-F0031 红外发射器具有多项优异特性，适用于多种工业和消费类应用。
　　首先，其采用GaAlAs半导体材料，能够提供高效率的红外光输出，确保在低功动电流下仍能保持稳定的光强。典型正向电流为20mA时，光强可达2.0 mW/sr，满足大多数红外遥控和传感应用的需求。
　　其次，该器件的封装形式为T-1（3mm），与标准的红外接收器和光电探测器兼容，便于集成到各种光学系统中。这种封装不仅具有良好的机械稳定性，还提供了优良的光轴对准能力，有助于提高系统的光学耦合效率。
　　此外，QLMP-7032-F0031 具有宽广的工作温度范围（-40°C至+100°C），适用于各种恶劣环境，如工业控制、汽车电子和户外检测系统。其最大正向电流为100mA，可在短时间内提供更高的光输出，以满足脉冲式应用需求。
　　在可靠性方面，该红外发射器经过严格测试，具有较长的使用寿命和稳定的光输出性能。其反向电压耐受能力为5V，功率耗散为150mW，能够在多种电源条件下稳定工作，减少因过载或反接造成的损坏风险。
　　最后，该器件具有低功耗特性，适合电池供电设备使用，例如遥控器、无线传感器节点和便携式检测设备。