时间：2025/8/12 16:54:10
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QL2003-XPF100C 是一款由Qorvo（科沃）公司推出的射频功率晶体管（RF Power Transistor），属于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的器件。该晶体管设计用于高功率射频放大应用，如蜂窝基站、广播设备和其他射频通信系统。QL2003-XPF100C 提供高效率、高增益和出色的热稳定性，适合在高功率条件下运行。
类型：LDMOS RF功率晶体管
封装：XPF100C
频率范围：860 MHz - 960 MHz
输出功率：300W（典型值）
漏极电压：28V
增益：27dB（典型值）
效率：40%以上
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
QL2003-XPF100C 具备多项优异特性，使其成为高性能射频放大器的理想选择。首先，它采用了先进的LDMOS技术，提供高功率密度和高效率，适用于高功率通信系统。其工作频率范围为860 MHz至960 MHz，非常适合蜂窝通信、LTE基站等应用。此外，该器件的高增益特性（典型27dB）有助于减少放大链中的级数，从而降低系统复杂性和成本。在热管理方面，QL2003-XPF100C具有出色的热稳定性和耐高温能力，能够在恶劣环境下可靠运行。其漏极电压为28V，支持较高的输出功率，同时在效率方面表现优异，通常超过40%，有助于减少能耗和散热需求。此外，该器件的工作温度范围从-55°C至+150°C，适用于各种工业和户外应用环境。QL2003-XPF100C 的封装设计也优化了散热性能，确保在高功率运行时保持稳定的工作状态。
QL2003-XPF100C 主要应用于无线通信基础设施，如4G/5G蜂窝基站、广播发射机、工业和科学射频设备等。由于其高功率输出和高效率特性，该器件也适用于需要高线性度和稳定性的射频放大系统。例如，在蜂窝通信中，QL2003-XPF100C可用于基站的主功率放大器，确保信号的远距离传输和高质量接收。在广播系统中，该晶体管可用于高功率发射机的末级放大，提供稳定可靠的信号输出。此外，该器件还可用于射频测试设备、雷达系统和工业加热设备等高功率射频应用领域。
MRF6VP2300H, CLF1H0230S-2
