QK040KH7 时间：2025/9/14 0:39:13 阅读：8

QK040KH7 是一款由知名半导体制造商生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电池供电设备等场合。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于高效率、高密度的电源设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：180A（在25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.0mΩ（最大值，典型值为3.2mΩ）
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：TO-263（D2PAK）
　　功率耗散（Pd）：200W
　　热阻（RθJA）：0.625℃/W

特性

QK040KH7 的核心优势在于其超低导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件在高电流应用中表现优异，能够在高负载条件下保持稳定运行。
　　其采用的TO-263（D2PAK）封装不仅具备良好的散热性能，还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
　　此外，QK040KH7 具备出色的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下长时间工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　由于其栅极驱动电压范围宽泛（±20V），该MOSFET可以与多种控制器或驱动IC兼容，提升了设计灵活性。
　　在保护特性方面，QK040KH7 内部具备一定的抗雪崩能力，有助于在突发过压或感性负载切换时保护器件免受损坏。

应用

QK040KH7 主要用于高性能电源转换系统，如同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及负载开关控制。
　　在服务器电源、通信电源、工业自动化设备以及新能源汽车（如OBC车载充电机、DC-DC变换器）中也有广泛应用。
　　其高效率和高可靠性的特点使其成为设计高功率密度电源模块的理想选择，尤其适用于需要高效能和长时间稳定运行的系统。