时间：2025/9/14 3:33:35
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QK040KH6 是一款由东芝（Toshiba）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换系统中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统和其他需要高效功率控制的场合。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：40V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：最大4.0mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C至+175°C
QK040KH6 MOSFET具有极低的导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统的整体效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。
该器件采用先进的沟槽式MOSFET结构，优化了电场分布，提高了器件的可靠性和稳定性。此外，QK040KH6具有出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
为了确保在高速开关应用中的性能，QK040KH6具有较低的输入电容和门电荷，从而减少了开关损耗。其快速的开关特性也有助于提高电源转换效率并减少电磁干扰（EMI）。
该MOSFET封装在高性能的TO-263（D2PAK）封装中，具有良好的散热性能，适用于表面贴装技术（SMT）装配流程。
QK040KH6广泛用于各种电源管理与功率控制应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、电源开关、工业自动化设备以及汽车电子系统。其高效率和高可靠性也使其适用于服务器电源、电信设备和UPS（不间断电源）系统。
TK040NE06,NTHD40N03CR2
