类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20 V
　　栅源电压（Vgs）：±12 V
　　连续漏极电流（Id）：8 A
　　导通电阻（Rds(on)）：16 mΩ @ Vgs = 4.5 V
　　导通电阻（Rds(on)）：19 mΩ @ Vgs = 2.5 V
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：TDFN
　　安装类型：表面贴装（SMD）

QK016RH2 具有多个显著的技术特性，使其在功率管理应用中表现出色。
　　首先，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on)），典型值为 16 mΩ（在 Vgs = 4.5 V 时），这有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。即使在较低的栅极驱动电压（如 2.5 V）下，其 Rds(on) 也仅为 19 mΩ，使其适用于低电压驱动电路，如电池供电系统或低压控制器驱动的应用。
　　其次，QK016RH2 采用了热增强型 TDFN 封装，具有优异的热管理性能。这种封装设计有效提高了器件在高电流条件下的散热能力，从而提升了系统的稳定性和可靠性，尤其是在高功率密度设计中尤为重要。
　　此外，该 MOSFET 的最大漏源电压为 20 V，支持在中等电压范围内工作，适用于多种电源转换拓扑结构，如同步整流、Buck 和 Boost 转换器等。其连续漏极电流能力为 8 A，能够满足大多数中高功率应用的需求。
　　QK016RH2 还具有良好的开关性能，具备快速导通和关断能力，有助于降低开关损耗，提高整体系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路的负担，使控制器更容易驱动该器件。
　　该器件的工作温度范围宽，最高可达 150°C，能够在高温环境下稳定运行，适用于工业级和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。

QK016RH2 广泛应用于多个高效率功率管理领域。其低导通电阻和优异的热性能使其非常适合用于开关电源（SMPS）中的同步整流器、DC-DC 转换器以及负载开关控制电路。此外，该器件也常用于电池管理系统（BMS）、电机驱动器、LED 照明驱动电路以及各种便携式电子设备的电源管理模块。在汽车电子中，QK016RH2 可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及车载信息娱乐系统中的电源调节模块。其高可靠性和宽温度范围也使其成为工业自动化设备、智能电表以及通信基础设施中的理想选择。

Si2302DS, BSS138K, AO4406A, FDS6675, IRLML2803