型号：QK016NH6RP
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（e-GaN FET）
　　最大漏源电压（VDS）：650 V
　　连续漏极电流（ID）：16 A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：48 A
　　导通电阻（RDS(on)）：160 mΩ（max）
　　栅极阈值电压（Vth）：2.3 V ~ 3.5 V
　　输入电容（Ciss）：1200 pF @ VDS=50 V, VGS=0 V
　　输出电容（Coss）：150 pF @ VDS=50 V, VGS=0 V
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C（无体二极管）
　　最大栅源电压（VGS）：-10 V ~ +7 V
　　最大功耗（PD）：120 W
　　工作结温范围（TJ）：-55 °C ~ +150 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-55 °C ~ +150 °C
　　封装形式：DFN8x8或类似低电感表面贴装封装
　　是否需要负关断电压：推荐使用0/+5V逻辑驱动，避免负压以防止栅极损伤

QK016NH6RP的核心优势在于其采用的氮化镓材料体系，相较于传统的硅基MOSFET，具备更高的电子迁移率和更优的二维电子气（2DEG）通道特性，从而实现更低的导通损耗和开关损耗。该器件为增强型（e-mode）结构，意味着在零栅极偏置下处于关闭状态，符合系统安全设计需求，无需额外的负压关断电路，简化了驱动设计并降低了系统成本。其160mΩ的最大导通电阻在650V耐压等级中处于领先水平，能够在中等功率应用中有效减少传导损耗，提升整体能效。
　　该器件具有极低的输入和输出电容，尤其适合高频开关应用，如图腾柱PFC、LLC谐振转换器和有源钳位反激拓扑。由于氮化镓器件本身不具备传统体二极管，因此在反向导通时依赖于沟道反向导通机制，虽然具备一定的反向导通能力，但在设计中需注意死区时间控制以避免交叉导通。QK016NH6RP的封装采用低寄生电感设计，有助于抑制开关过程中的电压振铃和EMI干扰，提高系统的电磁兼容性。同时，该封装具备良好的热传导性能，可通过PCB散热焊盘将热量快速导出，确保器件在高负载条件下稳定运行。
　　在可靠性方面，QK016NH6RP经过严格的 qualification 测试，包括高温高压栅极应力（HV-H3TRB）、高温反向偏压（HTRB）、温度循环（TC）和高加速应力测试（HAST），确保其在工业级和消费级应用场景下的长期稳定性。器件还具备良好的抗dv/dt能力，在高di/dt环境下仍能保持稳定的开关行为。此外，该器件对米勒效应的敏感度较低，减少了误触发的风险，提升了系统鲁棒性。对于驱动电路，建议使用专用的氮化镓驱动IC，提供快速的上升/下降时间和精确的时序控制，以充分发挥其高频性能潜力。

QK016NH6RP广泛应用于各类高效率、高功率密度的电力电子系统中。典型应用包括服务器和数据中心的高效AC-DC电源模块，尤其是在80 PLUS钛金标准要求下，该器件可显著降低开关损耗，提升整机效率。在消费电子领域，如大功率笔记本适配器、游戏主机电源和超薄电视电源中，QK016NH6RP凭借其小型化和高效率优势，帮助实现更轻薄的设计。此外，该器件也适用于光伏微型逆变器，其高频工作能力有助于减小磁性元件体积，提升系统整体能量转换效率。
　　在工业电源领域，QK016NH6RP可用于通信电源、LED驱动电源和工业自动化设备中的DC-DC转换模块。其高耐压和高电流能力使其适合用于半桥、全桥及图腾柱无桥PFC电路中，作为主开关或同步整流开关使用。在无线充电系统中，特别是高功率无线充电发射端，该器件可用于实现MHz级谐振变换，提高能量传输效率并减少发热。此外，电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充模块也在逐步采用氮化镓技术，QK016NH6RP在此类新兴应用中具备良好的扩展潜力。
　　由于其增强型特性，QK016NH6RP特别适合对系统安全性要求较高的场合，避免了耗尽型氮化镓器件需要负压关断的复杂性，降低了设计门槛。配合合适的控制器和驱动电路，可在多种数字控制架构中实现软开关技术，如ZVS或ZCS，进一步降低损耗。其高频响应能力也为未来更高频率的电源拓扑创新提供了硬件基础。

GS-065B16A-T1-TR
　　EPC2216
　　LMG5200RGER