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QK008VH4TP 发布时间 时间:2025/12/26 23:12:24 查看 阅读:8

QK008VH4TP是一款由国产厂商推出的电源管理芯片,广泛应用于小功率开关电源系统中。该芯片集成了高压启动电路、电流模式PWM控制器以及多种保护功能,适用于充电器、适配器、家电辅助电源等场景。其设计目标是在保证高效率和高可靠性的同时,降低外部元件数量,从而减少整体解决方案的成本与体积。QK008VH4TP采用准谐振(Quasi-Resonant, QR)控制技术,在不同负载条件下能够自动调整工作模式,实现高效节能。此外,芯片内置了软启动机制和频率抖动技术,有效降低了电磁干扰(EMI),使其更容易通过各类电磁兼容认证。该器件通常封装在SOP-7或DIP-7小型封装中,便于自动化生产及散热管理。
  芯片内部集成了650V以上的高压BJT或CoolMOS结构,可在宽电压输入范围内稳定运行,支持85VAC至265VAC的全范围交流输入。启动电流极低,有助于加快系统启动速度并减少待机功耗。同时具备过温保护、过压保护、过流保护和短路保护等多种安全机制,提升了系统的鲁棒性。QK008VH4TP还具备良好的动态响应能力,能够在负载突变时快速调节输出电压,维持电源稳定性。

参数

类型:准谐振反激式PWM控制器
  封装形式:SOP-7/DIP-7
  工作电压范围:10V~25V
  启动电压:约9.5V
  关断电流:<1μA
  最大开关频率:约65kHz
  占空比范围:0~80%
  内置高压启动电路:支持650V以上直接启动
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  保护功能:过压保护(OVP)、过流保护(OCP)、短路保护(SCP)、过温保护(OTP)
  控制模式:电流模式控制
  集成频率抖动:是
  待机功耗:<30mW(典型值)

特性

QK008VH4TP采用准谐振控制技术,能够在MOSFET漏源极电压处于谷底时进行导通,显著降低开关损耗,提高转换效率。这种谷底导通(Valley Switching)机制不仅优化了轻载和中等负载下的能效表现,还能有效抑制开关节点的电压应力,延长功率器件寿命。芯片具备多模式工作能力,根据负载情况智能切换于QR模式、PFM模式和DCM模式之间,确保在整个负载范围内都保持较高的效率水平,尤其在待机状态下可大幅降低能耗,满足能源之星和EuP Lot6等国际节能标准要求。
  该芯片内置了完整的保护体系,包括逐周期电流限制、前沿消隐(Leading Edge Blanking, LEB)、过温折叠功能等。当检测到异常过流或输出短路时,芯片会进入打嗝模式(Hiccup Mode),周期性尝试重启以避免持续发热损坏外围元件。过压保护通过监测反馈引脚电压实现,一旦超出阈值即触发锁闭动作。此外,芯片具有优良的线电压调整率和负载调整率,即使在电网波动或负载变化剧烈的情况下也能维持稳定的输出电压。频率抖动技术的应用使得EMI频谱展宽,简化了滤波电路设计,有助于通过CISPR22/EN55022 Class B等电磁干扰规范测试。
  QK008VH4TP还具备出色的抗干扰能力和环境适应性,内部电路经过优化设计,对外部噪声不敏感,适合在复杂电磁环境中长期稳定运行。其启动过程无需外部大阻值启动电阻,减少了热损耗和空间占用。配合简单的外围电路即可构成高性能AC-DC反激电源方案,极大简化了电源开发流程。对于成本敏感型消费类电子产品而言,该芯片提供了极具竞争力的性价比优势。

应用

QK008VH4TP主要应用于中小功率离线式开关电源系统,特别适合用于5W至30W范围内的AC-DC转换场合。常见应用场景包括手机充电器、蓝牙耳机充电盒电源模块、智能家居设备供电单元、路由器和网络摄像头的微型适配器、LED照明驱动电源以及白色家电中的辅助电源部分。由于其高集成度和低待机功耗特性,该芯片也广泛用于需要满足严格能效法规的产品设计中,如符合Energy Star、CEC Title 20和IEC61000-3-2谐波标准的电器产品。
  在便携式电子设备领域,QK008VH4TP因其小体积、高可靠性和低成本优势,成为许多制造商首选的电源解决方案。例如,在USB充电器设计中,它可以配合简单的变压器和光耦反馈电路,构建出稳定高效的恒压输出电源。在工业控制设备中,该芯片可用于为MCU、传感器和通信模块提供隔离电源,保障主控系统的安全运行。此外,它还可用于电池充电管理系统中的初级侧控制,支持铅酸、锂离子等多种电池类型的充电应用。
  得益于其良好的动态响应和多重保护机制,QK008VH4TP也被应用于对电源稳定性要求较高的医疗设备、安防监控设备和计量仪表等领域。这些设备通常需要长时间连续工作,且对电磁干扰敏感,因此该芯片的低EMI特性和高可靠性显得尤为重要。同时,其宽温工作范围使其能在高温或低温环境下正常运作,适用于户外或恶劣工况下的电源设计需求。

替代型号

OB2283
  SG6848
  TNY278
  LNK306

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QK008VH4TP参数

  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭三端双向可控硅开关
  • 系列-
  • 三端双向可控硅开关类型可控硅 - 无缓冲器
  • 电压 - 断路1000V(1kV)
  • 电流 - 导通状态 (It (RMS))(最大)8A
  • 电压 - 栅极触发器 (Vgt)(最大)1.3V
  • 电流 - 非重复电涌,50、60Hz (Itsm)80A,85A
  • 电流 - 栅极触发电流 (Igt)(最大)35mA
  • 电流 - 维持(Ih)35mA
  • 配置单一
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商设备封装TO-251(V-Pak/I-Pak)
  • 包装管件