时间：2025/9/15 21:43:20
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QEDS-HDM1是一款由TT Electronics公司生产的红外发射二极管（Infrared Emitting Diode, IRED），广泛应用于红外遥控、红外数据通信以及各种需要发射红外光的电子设备中。这款器件采用了高效率的砷化镓（GaAs）材料制造，能够在低功耗下提供稳定的红外光输出。QEDS-HDM1封装在标准的5mm透明环氧树脂圆头封装中，便于安装和光学对准。其发射波长为870nm，属于近红外区域，适用于多种红外传感器和接收器。
波长：870nm
正向电流（IF）：100 mA
峰值正向电流（IFP）：1.5 A
反向电压（VR）：3 V
功率耗散（PD）：150 mW
工作温度范围：-40°C ~ +100°C
存储温度范围：-40°C ~ +100°C
封装类型：5mm透明环氧树脂圆头封装
QEDS-HDM1红外发射二极管采用了先进的GaAs技术，确保了高效的红外辐射输出。该器件具有高亮度和稳定的发射特性，即使在长时间运行条件下也能保持一致的性能。其低正向电压降（VF）特性有助于降低功耗，提高系统的整体能效。此外，QEDS-HDM1的封装设计优化了光发射角度，使其具有较宽的发射视角，便于在不同的光学系统中使用。该器件还具有良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中稳定工作。由于其紧凑的封装尺寸和标准化的设计，QEDS-HDM1易于集成到各类电子设备中，并且可以与多种红外接收器配对使用。
QEDS-HDM1的工作温度范围宽泛，适合在工业和消费类电子产品中使用。其高可靠性设计也使其能够在较为恶劣的环境中正常运行，例如高温或低温条件下的设备控制和通信应用。
QEDS-HDM1广泛应用于红外遥控器、红外线数据传输设备、光电传感器、自动门控制、安防系统、玩具遥控装置以及各种需要发射红外信号的电子产品中。由于其稳定的发射性能和宽广的工作温度范围，该器件也常用于工业自动化设备中的非接触式信号传输环节。此外，在红外测距、红外照明以及红外通信等应用中，QEDS-HDM1也是一个理想的选择。
QEDS-HDM1-A, QEDS-HDM2, QEDS-HDM3
