类型：红外发射器
　　波长：940nm
　　材料：GaAlAs
　　封装类型：TO-46，4引脚
　　正向电压：1.7V（典型值）
　　正向电流：100mA（最大值）
　　功耗：150mW
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-40°C 至 +100°C
　　峰值发射功率：120mW/sr

QEDS-9140#H00 红外发射器具备高发射效率和优异的稳定性，其GaAlAs材料在940nm波长范围内提供强红外输出，适合远距离检测和高灵敏度应用。
　　该器件的TO-46金属封装不仅提供良好的散热性能，还能增强机械强度，适用于各种恶劣环境条件下的长期运行。
　　其工作温度范围为-40°C至+85°C，表明其在极端温度环境下仍能保持稳定工作，适用于工业和户外应用。
　　此外，QEDS-9140#H00具有较低的正向电压降（典型值1.7V），有助于降低功耗并提高系统的整体能效。
　　由于其封装设计具备良好的光学对准性，QEDS-9140#H00可与多种光电接收器配合使用，构成完整的红外传感系统。

QEDS-9140#H00 广泛应用于各类需要红外发射的电子系统中，包括但不限于：工业自动化中的非接触式物体检测、安全监控系统中的红外照明、自动门控系统、光幕系统、遥控装置、光学编码器、医疗设备中的非接触式传感器，以及环境监测设备中的红外探测模块等。
　　该器件也适用于需要高稳定性和高可靠性的军事和航空航天应用，如红外通信、目标识别和夜视设备等。
　　由于其良好的温度适应性和机械稳定性，QEDS-9140#H00 也常用于户外设备和车载电子系统中，如汽车倒车雷达、自动雨刷传感器、智能照明控制等应用场景。

QEDS-9140#H00的替代型号包括QEDS-9140、QEDS-9130#H00、QEDS-9150#H00等，这些型号在波长、封装形式或功率等级上略有不同，可根据具体应用需求进行选择。