时间：2025/8/12 10:05:42
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QDM2310 是一款由 Qorvo 公司生产的 GaN（氮化镓）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高性能射频功率放大应用而设计。该器件采用先进的氮化镓半导体技术，具备高效率、高功率密度和优异的热稳定性，广泛应用于通信基站、雷达系统、测试设备和工业射频加热等领域。
类型：GaN HEMT
封装类型：表面贴装（SMD）
工作频率范围：2.3 GHz - 2.4 GHz
输出功率：典型值为 100 W（连续波）
漏极电压：65 V
增益：典型值 20 dB
效率：典型值大于 65%
输入驻波比（VSWR）：2:1 最大
热阻（Rth）：约 1.5°C/W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
QDM2310 采用先进的 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅上）材料技术，具有非常高的功率密度和卓越的热传导性能，使其能够在高功率和高温环境下稳定运行。该器件具有低导通电阻和高跨导特性，从而实现了高增益和高效率的射频功率放大。此外，QDM2310 的封装设计优化了射频性能，支持宽带匹配，降低了设计复杂度。其高击穿电压（65V）和良好的热稳定性也使得器件在苛刻的工作条件下仍能保持高可靠性。
QDM2310 在设计上优化了线性度和效率，适用于多种通信标准，如 LTE、5G 和 Wi-Fi 6 等。它还支持脉冲操作模式，适用于雷达和测试仪器等应用场景。该器件的高耐用性和出色的热管理能力，使其在长时间高功率运行中依然保持稳定性能。
QDM2310 主要用于无线通信基础设施，如 4G/5G 基站、Wi-Fi 接入点和小型蜂窝网络设备。此外，它还适用于雷达系统、测试与测量设备、工业加热设备和医疗射频设备等高功率射频应用领域。其宽频率覆盖能力和高效率特性，也使其成为多种宽带射频功率放大器的理想选择。
CGH40010F, NPT1007, GAN041-65-20PF
