频率范围：2.2 GHz - 2.4 GHz
　　工作电压：28 V
　　输出功率：120 W
　　增益：18 dB
　　效率：>60%
　　输入驻波比：2.5:1
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C

QAT3522 是基于 GaN 技术的射频功率晶体管，能够在 2.2 GHz 至 2.4 GHz 的频率范围内提供高达 120 W 的输出功率。该器件具有 18 dB 的增益和超过 60% 的效率，使其在射频放大器应用中具有出色的性能表现。
　　QAT3522 的工作电压为 28 V，这使其适用于多种射频系统设计。它的输入驻波比为 2.5:1，表明其输入匹配性能良好，减少了信号反射并提高了系统稳定性。QAT3522 的工作温度范围为 -40°C 至 +150°C，因此可以在恶劣的环境条件下可靠运行。
　　这款晶体管还具有良好的热管理和耐用性，得益于 GaN 技术的高热导性和耐高温能力。这种特性使其适用于高功率密度的应用，例如基站、雷达和测试设备。此外，QAT3522 的封装设计优化了散热性能，进一步提高了其可靠性和使用寿命。
　　QAT3522 在高频应用中表现出色，特别是在需要高功率和高效率的场景中。其优异的线性度和失真特性也使其适合用于现代通信系统中的信号放大。

QAT3522 主要用于无线基础设施，如 4G 和 5G 基站的射频功率放大器模块。此外，它也被广泛应用于军事雷达系统，以满足高功率和高频的需求。在测试设备中，QAT3522 可用于信号发生器和功率放大器模块，以确保测试信号的高质量和稳定性。QAT3522 还适用于工业和科学仪器，例如射频加热系统、医疗设备和射频等离子体生成设备。此外，它也可以用于卫星通信系统和点对点微波通信设备，以提供可靠的高功率射频信号放大。

QAT3522 的替代型号包括 Cree/Wolfspeed 的 CGH40010F 和 NXP 的 AFT0422100。这些型号在功能和性能上相似，适用于类似的射频功率放大应用。