类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：20V
　　连续漏极电流（ID）：9A
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：4.8W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOIC-8

QALM-9005-TR1G 的主要特性之一是其低导通电阻，这使得该器件在高电流应用中能够显著降低导通损耗，提高整体能效。此外，其 30V 的漏源电压额定值使其适用于多种中低电压电源管理应用，如同步整流器、负载开关和电机驱动器。
　　该 MOSFET 采用 SOIC-8 封装形式，具有良好的散热性能，在高电流负载下仍能保持稳定工作温度。此外，该封装形式也便于 PCB 布局和自动化装配，适用于工业级和消费类电子产品。
　　QALM-9005-TR1G 还具有较强的栅极驱动能力，支持快速开关操作，从而减少开关损耗并提高系统响应速度。这一特性使其非常适合用于高频开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器等应用中，有助于提升整体系统的效率和性能。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的热稳定性和环境适应能力，适用于各种严苛工作条件下的应用，如工业自动化、汽车电子和便携式设备等。

QALM-9005-TR1G 主要用于需要高效率和高可靠性的电源管理电路中。其典型应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器以及各种电源管理模块。
　　在同步整流器中，QALM-9005-TR1G 可以替代传统的肖特基二极管，以降低导通压降和提高转换效率。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于高边或低边开关，实现高效的电压转换。此外，由于其良好的热性能和较高的电流承载能力，QALM-9005-TR1G 也常用于电池供电设备中的负载开关控制，以延长电池使用寿命。
　　在工业自动化和汽车电子系统中，QALM-9005-TR1G 可用于驱动继电器、LED 阵列、风扇和其他负载，提供稳定的开关控制和高效的能量传输。此外，该器件也适用于各种消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑、智能音箱等设备中的电源管理电路。

SiSS14DN, FDS6680, AO4406A, NVTFS5C471NL, QALM-9005-TR1G 可相互替代，但需注意封装、电流和导通电阻的匹配。