时间：2025/5/9 18:22:04
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QA243H-1509R3是一种高性能的功率MOSFET芯片，通常用于高效率开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，在低导通电阻和高开关速度方面表现优异，能够有效降低功耗并提升系统性能。
这种型号属于增强型N沟道MOSFET，其工作电压范围较广，可适应多种工业级应用场景。此外，它还具有出色的热稳定性和耐用性，能够在恶劣环境下长期可靠运行。
最大漏源电压：90V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：80nC
输入电容：1600pF
工作结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高整体能效。
2. 高速开关性能，适合高频电路设计。
3. 良好的雪崩耐量能力，增强了器件在异常条件下的保护性能。
4. 紧凑的封装形式，节省PCB空间，便于小型化设计。
5. 出色的热阻特性，确保在高负载情况下的稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
4. 汽车电子系统内的负载切换与保护。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 太阳能逆变器以及其他新能源相关产品中的关键组件。
IRF2807ZPBF, STW83N90K5, FDP150AN90AE
