QA01-17 是一款高压功率MOSFET,主要用于高电压和高电流的应用,如电源管理、DC-DC转换器和电机控制。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高可靠性等优点,适用于工业设备和汽车电子系统。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):20A
导通电阻(Rds(on)):0.045Ω
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装类型:TO-220AB
QA01-17 MOSFET采用了先进的平面工艺技术,具有优异的热稳定性和电流处理能力。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的短路耐受能力,能够在瞬态过载条件下保持稳定运行。封装设计确保了良好的散热性能,使其适用于高功率密度设计。
该MOSFET的栅极驱动特性较为优化,能够在较宽的栅极电压范围内正常工作,降低了驱动电路的设计难度。其高可靠性使它在恶劣环境下也能稳定运行,适用于汽车电子和工业自动化等高要求领域。
QA01-17常用于各种高电压和高电流的电力电子设备中,如DC-DC转换器、开关电源、电池管理系统和电机驱动器。它也适用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器以及工业自动化控制系统。此外,由于其高可靠性和耐高温特性,该器件在汽车电子应用中(如车载充电器和电动助力转向系统)也有广泛应用。
IRFZ44N, FDPF085N10A