时间：2025/12/26 23:00:49
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Q8025NH5RP是一款由ONSEMI（安森美）公司生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench沟道技术制造，专为高效率、高密度电源转换应用而设计。该器件封装在PowerDI5060-8L或类似高性能表面贴装封装中，具备低热阻特性，有助于在高功率操作条件下实现有效的散热管理。Q8025NH5RP适用于多种开关电源拓扑结构，如同步整流、DC-DC转换器、AC-DC电源以及电机驱动等场景。其优化的栅极电荷与导通电阻平衡，使其在高频开关应用中表现出色，同时降低了系统的总损耗。该MOSFET经过AEC-Q101汽车级可靠性认证，适合在严苛的工业和汽车环境中稳定运行。此外，器件具有较低的反向恢复电荷（Qrr），有助于减少体二极管反向恢复带来的开关应力，提升系统整体效率与可靠性。
型号：Q8025NH5RP
制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
器件类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：80 V
最大连续漏极电流（ID）：230 A（在TC=25°C）
脉冲漏极电流（IDM）：460 A
导通电阻（RDS(on)）：1.7 mΩ（典型值，VGS=10 V）
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.0 V 至 3.0 V
栅极电荷（Qg）：145 nC（典型值，VDS=40 V，ID=115 A）
输入电容（Ciss）：9200 pF（典型值，VDS=40 V）
输出电容（Coss）：820 pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：25 ns（典型值）
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
封装形式：PowerDI5060-8L
符合RoHS标准：是
引脚数：8
Q8025NH5RP采用了安森美的先进Trench沟道工艺技术，这种结构通过优化单元密度和电场分布，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少了导通损耗，提升了整体能效。其超低的1.7 mΩ RDS(on)在同类80V N沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于大电流、低电压的应用场合，例如服务器电源、电动工具和电动汽车车载充电系统。该器件还具备优异的热性能，得益于PowerDI5060-8L封装的低热阻设计，能够有效将芯片热量传导至PCB，避免局部过热，确保长时间高负载运行下的稳定性。
该MOSFET的栅极电荷Qg为145nC，在保持低RDS(on)的同时实现了良好的开关速度与驱动功耗之间的平衡，有利于提高开关电源的工作频率而不显著增加驱动电路负担。其较低的输入电容和输出电容也减小了开关过程中的能量损耗，进一步提升系统效率。此外，Q8025NH5RP具有较低的反向恢复电荷Qrr和较短的反向恢复时间trr，这在同步整流和半桥/全桥拓扑中尤为重要，可有效抑制体二极管反向恢复引起的电压尖峰和EMI问题，增强系统鲁棒性。
器件支持8引脚封装，其中额外的源极开尔文连接（Kelvin Source）可分离功率源极与信号源极，消除共源电感对栅极控制的影响，提升开关瞬态响应精度，尤其适用于高精度电流检测和高速开关应用。该器件符合AEC-Q101汽车级认证标准，具备高可靠性和耐久性，可在-55°C至+175°C的宽结温范围内稳定工作，适用于高温环境下的严苛应用场景。同时，产品无铅、符合RoHS指令要求，满足现代绿色电子产品的环保需求。
Q8025NH5RP广泛应用于需要高效能、高电流密度的电力电子系统中。其主要应用领域包括但不限于：数据中心和服务器用的大电流DC-DC降压转换器，其中多个Q8025NH5RP并联使用可实现数百安培的输出能力；电动汽车车载充电机（OBC）中的PFC（功率因数校正）和LLC谐振转换级，利用其低导通损耗和优良的开关特性提升整体能效；工业电源和UPS不间断电源系统中的同步整流模块，用于替代传统肖特基二极管以降低压降和发热；太阳能逆变器和储能系统的直流侧开关电路，提供高效的能量转换路径。
此外，该器件也适用于电动工具、无人机和电动自行车等电池供电设备的电机驱动电路，作为H桥或半桥拓扑中的主开关元件，其快速开关能力和高电流承载能力有助于提升动力输出响应速度和续航效率。在通信电源、电信整流器等高密度电源模块中，Q8025NH5RP凭借其小型化封装和高功率密度特性，成为实现紧凑设计的理想选择。由于其具备汽车级可靠性认证，因此也可用于汽车电子系统，如48V轻混系统中的DC-DC变换器、车载加热器控制模块以及高压电池管理系统中的开关单元。
NTD2955N, FDP8860AS, Infineon IPB015N08N3, STMicroelectronics STL240N8F3AG, Vishay SiR862DP
