时间：2025/9/14 8:36:07
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Q8016NH4是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于N沟道增强型晶体管，广泛用于需要高效率和高可靠性的电源管理和功率转换应用。该器件采用TO-220封装，具有良好的热性能和较高的电流承载能力，适用于DC-DC转换器、电机控制、电源开关和负载管理等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：16A
漏源击穿电压（VDS）：60V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：40mΩ（典型值，@VGS=10V）
最大功耗（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-220
技术：增强型MOSFET
Q8016NH4具有低导通电阻特性，使其在导通状态下能够降低功耗并提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性，使其适用于高负载环境。此外，该MOSFET具备良好的抗过载和抗短路能力，提升了系统的可靠性和安全性。其栅极驱动电压范围较宽，适用于多种驱动电路设计，并支持快速开关操作，减少开关损耗。此外，TO-220封装有助于散热，适用于高功率应用场景。
Q8016NH4广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、工业自动化设备以及汽车电子系统。它特别适合需要高效能、高稳定性和高负载能力的电路设计，如开关电源（SMPS）、负载开关、逆变器以及电动工具和电动车的控制电路。
IRFZ44N, FDP6N60, STP16NF06, IRLZ44N
