类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：16A
　　最大漏-源极电压（VDS）：600V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大值）
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：50W
　　漏极电容（Coss）：800pF
　　上升时间（tr）：25ns
　　下降时间（tf）：15ns

Q8016NH2具有多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其600V的高耐压能力使其适用于高压电源转换系统，能够承受较高的电压冲击，提高了系统的可靠性。其次，该MOSFET的导通电阻仅为0.35Ω，有助于降低导通损耗，提高能效，减少热量产生，从而延长设备使用寿命。此外，Q8016NH2具备快速开关特性，上升时间为25ns，下降时间为15ns，可有效降低开关损耗，适用于高频开关电源和电机控制应用。
　　该器件还具有良好的热稳定性，采用TO-220封装，便于安装散热片，确保在高负载情况下仍能保持稳定运行。其最大漏极电流为16A，支持较大的电流负载，适用于中高功率的DC-DC转换器和电池充电系统。此外，Q8016NH2的工作温度范围为-55°C至150°C，适应性强，可在恶劣环境条件下正常工作。
　　在可靠性方面，Q8016NH2具备高抗雪崩能力，能够承受短时间的过载或短路情况，增强了器件的耐用性。此外，其栅极电压范围为±20V，支持多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。这些特性使Q8016NH2成为工业控制、电源供应、照明系统和消费类电子产品中理想的功率开关器件。

Q8016NH2适用于多种高功率和高压电子系统，广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、LED照明驱动电路、工业自动化设备以及家电产品中的功率控制模块。此外，该MOSFET还可用于不间断电源（UPS）、充电器和逆变器等应用，提供高效、稳定的功率转换和管理功能。其高耐压和低导通电阻特性也使其在新能源系统（如太阳能逆变器和储能设备）中发挥重要作用。

STP16NF60FD, IRFBC40, FDPF16N60, STP16NF60FD